MHEMT

作品数：20被引量：23H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张海英徐静波黎明吉宪黄伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>
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Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2331-2334,共4页黎明 张海英 徐静波 付晓君 
supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Programin Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,(No.O6SB124004)~~
200nm gate-length power InAlAs/InGaAs MHEMTs with T-shaped gate are characterized for DC, RF, and power performance. The MHEMTs show excellent DC output characteristics with an extrinsic transconductance of 510mS/ mm ...
关键词：MHEMT INALAS/INGAAS power characteristics T-shaped gate 
200nm Gate Length Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4) As HEMTs on GaAs Substrates with 110GHz f_T
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1679-1681,共3页黎明 张海英 徐静波 付晓君 
the State Key Development Program for Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Program in Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences(No.O6SB124004)~~
200nm gate-length GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMTs are fabricated by MBE epitaxial material and EBL （electron beam lithography） technology. Ti/Pt/Au is evaporated to form gate metals. A T-shaped gate is produced usin...
关键词：MHEMT INALAS/INGAAS electron beam lithography T-shaped gate 
1.0μm Gate-Length GaAs MHEMT Devices and SPDT Switch MMICs
《Journal of Semiconductors》2008年第4期668-671,共4页徐静波 黎明 张海英 王文新 尹军舰 刘亮 李潇 张健 叶甜春 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901);装备预先研究基金(批准号:61501050401C);中国科学院微电子研究所所长基金(批准号:O6SB124004)资助项目~~
1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performanc...
关键词：MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au SPDT MMIC 
Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第9期1137-1142,共6页陈效建 吴旭 李拂晓 焦刚 
讨论了采用埋栅结构实现 Ga As基改性高电子迁移率晶体管 (MHEMT)增强型模式工作的有关问题 ,提出了增强型 MHEMT的设计与实现方法 .通过不同金属 (Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究 ,确定在增强型 MHEMT工艺中采...
关键词：MHEMT 增强型 Pt基埋栅势垒 稳定性 
0.25μm GaAs基MHEMT器件被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第3期325-328,共4页石华芬 刘训春 张海英 石瑞英 王润梅 汪宁 罗明雄 
采用普通接触曝光研制成栅长为 0 .2 5 μm的 Ga As基 In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为 5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达 4 90 m A/ mm,截止频率为 75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基 In Ga P/ In Ga As ...
关键词：铟铝砷/铟镓砷 变组分高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管 
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