超辐射发光二极管

作品数：131被引量：218H指数：8
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1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：2
《半导体光电》2021年第4期483-487,共5页周帅 许瑨 田坤 张靖 庞福滨 刘尚军 任涛 廖柯 
国家电网有限公司科技项目(5700-202018483A-0-0-00)。
设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO_(2)/SiO_(2)四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明,在250mA...
关键词：压应变多量子阱 超辐射发光二极管 增透膜 偏振度 
超辐射发光二极管光源组件内部电场耦合分析被引量：3
《半导体光电》2019年第4期484-488,493,共6页黄英俊 贺慧勇 李章承 宋章明 
针对超辐射发光二极管(Superluminescent Diode,SLD)光源输出光功率稳定性的需求,用有限元分析方法分析了SLD光源组件内部导体组的分布电容矩阵及电场耦合情况;通过电场耦合模型研究发现温控电路带来的干扰通过分布电容耦合到恒流回路中...
关键词：超辐射发光二极管 有限元分析法 交流分量 分布电容 电场耦合 
光源功率对光纤电流互感器的性能影响研究被引量：9
《半导体光电》2016年第3期445-448,454,共5页王夏霄 冯志芳 于佳 张猛 雷莉莉 
超辐射发光二极管(SLD)光源作为光纤电流互感器光路中唯一的有源器件,其长期运行稳定性直接影响着互感器的性能。文章主要从SLD出光功率衰减对光纤电流互感器输出固定偏置、变比和相位的影响机理进行理论推导,结果表明在非理想数字闭环...
关键词：超辐射发光二极管 输出功率 光纤电流互感器 变比误差 相位误差 
850nm微型化封装超辐射发光二极管模块被引量：1
《半导体光电》2014年第3期418-421,共4页孙迎波 陈广聪 杨璠 郭洪 钟正英 
研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管（SLD）模块,该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装,通过对模块结构的优化设计,使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下,尾纤输出功率大于1.5mW...
关键词：微型光纤陀螺 超辐射发光二极管(SLD) 微型化封装 
一种大功率低偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：5
《半导体光电》2013年第6期949-953,共5页刘科 宋爱民 田坤 廖柯 
设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振性的因素,在此基础上通过改变有源层量子阱的应变类型、应变量以及层数来达到高增益和偏振不敏感性。最...
关键词：超辐射发光二极管 混合应变量子阱 低偏振度 
超辐射发光二极管的研究进展被引量：9
《半导体光电》2013年第3期361-365,400,共6页段成丽 王振 
超辐射发光二极管(SLD)是一种宽光谱光源,广泛用于光纤陀螺、光学相干断层扫描等领域。高性能SLD要求同时实现大功率和宽光谱输出,航天领域相关应用还要求其具有较高的抗辐射性能。本文从如何实现大功率、宽光谱输出和抗辐射加固等几方...
关键词：超辐射发光二极管 量子阱 量子点 大功率 宽光谱 抗辐射 
SLD对SAC-OCDMA系统性能的影响分析
《半导体光电》2011年第5期680-683,688,共5页杨祎 张晓燕 
陕西省教育厅专项科研计划项目(2010JK839)
首先介绍了光正交码(OOC)的构造方法,以及光谱幅度编码光码分多址(SAC-OCDMA)系统的实现原理。通过分析超辐射发光二极管(SLD)光源的功率谱不平坦对系统信干比和误码性能的影响,给出了OOC选码方案与光源光谱特性的关系;在此基础上,通过...
关键词：超辐射发光二极管 光正交码 光码分多址 多址干扰 信干比 
1.3μm超辐射发光二极管的辐照性能研究
《半导体光电》2011年第4期465-468,共4页田坤 丁鹏 
研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位移损伤剂量的概念,给出了器件功率衰减与位移损伤剂量的函数关系,对SLD器件在质子辐射条件下的功率衰退做...
关键词：超辐射发光二极管 非电离能损 位移损伤剂量 
1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计
《半导体光电》2010年第4期535-538,共4页黄鑫 宋爱民 段利华 
对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量子阱宽度的关系,并讨论了量子阱中In组分相对于不同波长的最小临界值。用MOCVD生长器件,实验结果与理论计算值吻合。
关键词：超辐射发光二极管 单量子阱 MOCVD 
1.3μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究
《半导体光电》2007年第3期354-356,共3页吴天伟 武斌 
量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了一种1.3μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍。通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件。
关键词：超辐射发光二极管 量子阱 光刻 
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