丁照崇

作品数：7被引量：41H指数：3
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：溅射靶材ITO膜性能研究光电性能光电更多>>
发文领域：冶金工程一般工业技术理学电子电信更多>>
发文期刊：《中国材料科技与设备》《Journal of Semiconductors》《稀有金属材料与工程》《粉末冶金工业》更多>>
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高纯致密氧化镁陶瓷的常压和真空烧结被引量：9
《稀有金属》2018年第4期402-407,共6页陈淼琴 何金江 张玉利 丁照崇 贺昕 
北京市科技新星项目(Z1511000003150102)资助
MgO为重要的功能型材料,磁隧道结（MTJ）以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压（CIP）工艺将高纯MgO粉末（纯度〉99.99%）压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真...
关键词：MgO陶瓷 常压烧结 真空烧结 致密化 
真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响被引量：3
《稀有金属材料与工程》2014年第6期1403-1406,共4页丁照崇 何金江 罗俊锋 李勇军 熊晓东 
以高纯W-Si合金粉（〉99．995％）为原料，采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材。研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响。结果表明，烧结温度在1350-1380℃，热压压力25～30MPa，保温时间1...
关键词：高纯W-Si合金 磁控溅射靶材 真空热压烧结 
高纯W-Si合金粉的研制
《稀有金属材料与工程》2014年第5期1269-1271,共3页丁照崇 陈明 刘书芹 王欣平 吕保国 
以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%...
关键词：高纯W-Si 预合金化 磁控溅射靶材 
钌金属溅射靶材烧结工艺研究被引量：17
《粉末冶金工业》2012年第1期28-31,共4页罗俊锋 丁照崇 董亭义 何金江 王欣平 江轩 
采用热压、放电等离子烧结及直接热压等粉末冶金工艺制备了钌金属溅射靶材,通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响,并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明:通过工艺优化利用三种方法均能制备...
关键词：钌 溅射靶材 热压烧结 放电等离子烧结 直接热压 
掺铌纳米ITO粉末制备及其ITO膜光电性能研究
《中国材料科技与设备》2008年第5期26-30,共5页刘浩 张维佳 丁照崇 贾士亮 郭卫 吴倞 
国家863计划项目（2008AA05Z424）
采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末，粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶（相对密度达99％以上），用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜（Indium Tin Oxides简称ITO膜）。通过样品电阻实时监测装置，研究分析了溅射成膜时电阻...
关键词：ITO膜 掺杂Nb 光电性能 实时监测 
纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期333-336,共4页金飞 张维佳 贾士亮 丁照崇 闫兰琴 王天民 李国华 
通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大...
关键词：PECVD 太阳能电池 半导体薄膜 
高密度高导电性ITO靶研制被引量：12
《稀有金属材料与工程》2006年第7期1021-1024,共4页张维佳 王天民 崔敏 金飞 丁照崇 阎兰琴 
国防科工委预研科学基金资助(413100202)
采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%...
关键词：ITO 溅射靶 烧结剂 掺杂 
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