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近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响被引量：2
《激光与红外》2010年第2期169-173,共5页朱耀明 李永富 唐恒敬 汪洋 李淘 李雪 龚海梅 
国家自然科学基金重点项目(No.50632060);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.C2-32);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.C2-50)资助
采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表...
关键词：近红外InGaAs探测器 台面结构 器件性能 
垂直腔面发射激光器氧化孔结构对器件激射性能的影响被引量：3
《中国激光》2019年第3期12-17,共6页梁静 贾慧民 冯海通 唐吉龙 房丹 苏瑞巩 张宝顺 魏志鹏 
国家重点研发计划项目(2017YFB0402800);国家自然科学基金(61504010;61504022);吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20160519007JH);吉林省科技厅重大科技招标专项(20160203015GX)
为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出,设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件,研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明:VCSEL台面直径越大,阈值电流越大;氧化孔径越偏向圆形,边...
关键词：激光器 垂直腔面发射激光器 台面结构 氧化孔 激射性能 边模抑制比 
SiGe/Si HBT及Si兼容工艺技术
《世界产品与技术》2003年第5期51-52,共2页廖小平 李垚 刘融 魏敬和 魏同立 许居衍 
本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声SiGe/Si HBT结构,并已初步研制成功台面结构SiGe/Si HBT和低噪声SiGe/Si HBT,为进一步高指标的SiGe/Si HBT...
关键词：异质结 双极型晶体管 SIGE/SI HBT 台面结构 多晶硅发射极 多介质自对准 
用于100 Gb/s光通信系统的p区倒置型APD的研究被引量：4
《中国激光》2022年第13期84-90,共7页廖卓冬 李珂 刘浩冉 段晓峰 黄永清 刘凯 
国家重点研发课题(2018YFB2200803)。
光通信系统不断提升的传输速率对光电探测器的带宽提出了更高的要求。利用有限元分析软件APSYS对p区倒置型雪崩光电探测器(APD)进行设计与优化。结果表明,双台面p区倒置型APD可将电场限制在中心区域,避免器件发生边缘击穿,器件的暗电流...
关键词：光通信 光电探测器 p区倒置型雪崩光电探测器 台面结构 增益带宽积 
牵引用3300V平面栅IGBT栅极台面结构研究被引量：1
《微电子学》2020年第5期715-719,725,共6页肖强 梁利晓 朱利恒 覃荣震 罗海辉 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB1201802)。
针对机车牵引用3300 V/1500 A IGBT功率模块,采用TCAD仿真工具研究了不同栅极结构对器件静态和动态参数的影响。当平面栅IGBT采用栅极台面结构且台面厚度逐渐降低时,器件的静态阻断电压提高,开关损耗降低,但是器件的开关时间增加;此外,...
关键词：机车牵引 平面栅IGBT 台面结构 可靠性 
SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究被引量：1
《半导体技术》2011年第9期689-692,共4页贾素梅 杨瑞霞 刘英坤 邓建国 辛启明 
邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,...
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 台面结构 干法刻蚀 自中止腐蚀 腐蚀条件 
台面结构硅基法珀型光纤MEMS压力传感器的研究被引量：1
《传感技术学报》2007年第4期820-823,共4页陈绪兴 王鸣 戎华 倪小琦 
国家自然科学基金;江苏省高技术研究计划项目资助(BG2003024)
提出了一种新的光纤压力传感器的设计,该传感器敏感膜采用了台面结构而非传统的平面结构.用法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉理论阐述了传感器的工作原理,提出了敏感膜的力学模型.基于Fabry-Perot干涉理论推导出光纤MEMS压力传感器中台面...
关键词：光电技术 台面结构 F-P干涉 数值模拟 平行度 关键参数 
InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究（英文）
《红外与毫米波学报》2015年第6期641-646,共6页李冬雪 王天盟 沈文忠 张月蘅 李雪 李淘 
Supported by 863 Program of China(2011AA010205);National Major Basic Research Project(2011CB925603);Natural Science Foundation of China(91221201,61234005,11074167)
串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要...
关键词：In0.53Ga0.47As/InP焦平面阵列 电串音 平面结构 台面结构 
高阻硅和化合物半导体探测器的研制和应用
《中国核科技报告》1995年第S2期83-83,共1页丁洪林 张秀凤 张万昌 
叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及探测器在制备中所必须解决的几个关键技术。对高阻硅探测器来说,必须提高对能量为28.5kev的125
关键词：化合物半导体探测器 硅探测器 高阻硅 医学中的应用 探测效率 欧姆接触 GAAS 热处理技术 原子能科学 台面结构 
1×10硅雪崩光电二极管单片列阵
《半导体光电》1980年第1期83-84,共2页程泰平 
随着空间高密度通信技术的不断更新和发展,将发光器件和光电探测器件列阵化已成了当务之急。因为与用相同数量的分立器件组合起莱的装置相比,列阵化后的器件装置不仅体积小,而且比较容易实现与纤维光缆耦合。此外,列阵上只加一个电压源...
关键词：硅雪崩光电二极管 单管 响应度 单片 台面结构 光电流 击穿电压 光通量 光流 
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