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检索条件："关键词=ALGAN/GAN异质结 "
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AlGaN/GaN界面特性研究进展被引量：5
《微纳电子技术》2002年第10期1-7,共7页郝跃 张金凤 
国防科技预先研究项目支持项目(41308060106)
GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGa...
关键词：ALGAN/GAN异质结 二维电子气 表面特性 氮化镓 铝镓氮三元化合物 
基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展被引量：4
《发光学报》2016年第12期1545-1553,共9页朱彦旭 王岳华 宋会会 李赉龙 石栋 
教师队伍建设(PXM2016_014204_000017_00205938_FCG)青年拔尖项目(市级);国家自然科学基金(61574011);北京市自然科学基金(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2016_014204_500018)资助
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本...
关键词：ALGAN/GAN异质结 2DEG GaN基HEMT传感器 栅结构 光探测器 
表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理
《半导体光电》2011年第5期650-652,718,共4页王磊 王嘉星 汪莱 郝智彪 罗毅 
国家自然科学基金项目(51002085)
研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱(XPS)测试结果显示:氧...
关键词：ALGAN/GAN异质结 表面处理 欧姆接触 XPS能谱 
子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响
《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第5期855-860,共6页苏娟 谭为 高博 
科学挑战专题资助项目(TZ2017003);中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心专项资助项目(MT2015-11-08);中国工程物理研究院-四川大学协同创新联合基金资助项目(CX2014005)
利用Silvaco软件对Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响。对比分析了子量子阱结构中InGaN的In组分和子阱厚度对RTD微分负阻(NDR)特性的影响,得...
关键词：共振隧穿二极管 ALGAN/GAN异质结 InGaN子阱 非对称势垒 
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性被引量：1
《半导体技术》2021年第12期932-936,985,共6页冯玉昆 于国浩 吴冬东 杜仲凯 张炳良 李新宇 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(61774014,12164013);中国科学院青年创新促进会资助项目(20200321)。
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) ALGAN/GAN异质结 p-GaN栅 增强型 栅漏电 
AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析被引量：2
《物理学报》2007年第11期6629-6633,共5页倪金玉 张进成 郝跃 杨燕 陈海峰 高志远 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:513270203;2002CB3119);国防科技重点实验室基金(批准号:51432030204DZ0101;51433040105DZ0102)资助的课题.~~
对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产...
关键词：ALGAN/GAN异质结 电容-电压测量 载流子面密度 串联电阻效应 
AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展被引量：5
《电源学报》2019年第3期44-52,共9页康玄武 郑英奎 王鑫华 黄森 魏珂 吴昊 孙跃 赵志波 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000,2016YFB0400100);国家自然科学基金资助项目(61804172)~~
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用...
关键词：氮化镓(GaN) ALGAN/GAN异质结 肖特基二极管(SBD) 
Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究被引量：5
《物理学报》2008年第3期1886-1890,共5页冯倩 郝跃 岳远征 
国防预研项目(批准号:51308030102);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题~~
在研制AlGaN/GaNHEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3AlGaN/GaNMOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现...
关键词：AL2O3 MOSHEMT 泄漏电流 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN异质结 原子层淀积 绝缘材料 
大尺寸Si基GaN HEMT外延薄膜的生长被引量：1
《现代信息科技》2022年第16期58-61,共4页鲁德 戴一航 梁利彦 周昆楠 
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在6英寸硅(111)衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)的无裂纹、高均匀性且翘曲度可控的GaN HEMT外延薄膜。通过引入双层AlN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N超晶格和...
关键词：ALGAN/GAN异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 应力控制层 外延生长 
表面电荷密度及介电常数对AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质的影响
《四川大学学报（自然科学版）》2024年第6期178-184,共7页王庆武 于白茹 郭华忠 
国家重点研发计划(2022YFF0608302);四川大学理科特色方向培育计划项目(2020SCUNL209)。
通过在Al_(x)Ga_(1-x)N层引入离化电荷面密度,结合自发极化和压电极化引起的极化电荷面密度,利用变分法计算二维电子气面密度随Al组分和Al_(x)Ga_(1-x)N厚度的变化关系.研究了相对介电常数对电子气密度的影响,并与实验数据进行了比较....
关键词：ALGAN/GAN异质结 二维电子气 离化态 变分法 
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