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检索条件:"关键词=MOSFET器件 "
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高K栅介质材料的研究现状与前景被引量:1
《材料导报》2010年第21期25-29,共5页余涛 吴雪梅 诸葛兰剑 葛水兵 
国家自然科学基金(10975106);信息功能材料国家重点实验室开放课题资助
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性...
关键词:高K栅介质 HFO2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件 
Fairchild推出MOSFET器件FDS3572
《电子测试(新电子)》2005年第2期100-101,共2页
飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd),比相同RDS(on)级别的产品低38%。
关键词:MOSFET器件 SO-8封装 飞兆半导体 开关电源 同步整流 DC/DC转换器 沟道 计提 FDS 产品 
Fairchild推出互补对称MOSFET器件FDC6020C
《电子测试(新电子)》2005年第2期101-101,共1页
飞兆半导体(Fairchild)推出小尺寸且互补对称MOSFET解决方案FDC6020C,为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装(倒装导模封装)中。
关键词:MOSFET器件 FLMP封装 飞兆半导体 DC/DC 导模 小尺寸 负载点 超小型 开关 功率 
正确使用固态继电器浅谈
《机电元件》2000年第2期53-54,60,共3页黄正 
关键词:固态继电器 MOSFET器件 MOS-LED型 
采用电力MOSFET器件的单相AC—AC变换器
《电气自动化》1990年第4期36-37,共2页载克中 
关键词:电力系统 MOSFET器件 变换器 
集成SiON栅介质在半导体中的应用与展望被引量:1
《集成电路应用》2008年第11期51-52,共2页方志军 
集成电路的快速发展得益于其电路基本单元——场效应管MOSFET电学性能的不断提升。MOSFET器件的关键性能指标是驱动电流Id,驱动电流的大小取决于栅极电容。栅极电容与栅极表面积成正比,与栅介质厚度成反比。因此,通过增加栅极表面积和...
关键词:半导体技术 集成电路 MOSFET器件 栅介质 展望 应用 驱动电流 介质厚度 
薄膜SOI MOSFET中扭曲效应的减小
《微电子学》1989年第5期96-98,共3页J.P.Colinge 陈其林 
数值模拟表明,薄膜全耗尽(FD)SOI器件的电位和电场分布,与较厚的部分耗尽(PD)SOI器件中所观测到的大不相同;漏电场和源势垒的降低使扭曲效应大为减小。
关键词:SOI MOSFET器件 扭曲效应 薄膜 
1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制
《固体电子学研究与进展》2024年第3期F0003-F0003,共1页张跃 柏松 李士颜 陈谷然 黄润华 杨勇 
碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁...
关键词:宽禁带半导体材料 MOSFET器件 导通电阻 迁移率 平面型 功率器件 沟道密度 新能源汽车 
硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型
《硅谷》2008年第24期8-8,92,共2页周少华 熊琦 李锐敏 
湖南省自然科学基金资助项目(批准号:06JJ2085);湖南省教育厅科学研究基金资助项目(批准号:07D025)
在分析应变Si/应变Si1-YGeY/驰豫Si1-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,...
关键词:SIGE MOSFET器件 阈值电压 解析模型 
IR Direct FET MOSFET器件为英特尔Itanium2处理器设立业界功率标准
《世界产品与技术》2002年第9期86-86,共1页
关键词:DIRECT FET MOSFET器件 英特尔 ITANIUM2处理器 功率标准 IR公司 CPU 
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