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国家自然科学基金(60176001): 作品数：19被引量：20H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：陈诺夫杨少延刘志凯宋书林柴春林更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院力学研究所北京师范大学石家庄铁道学院更多>>; 相关期刊：《光子学报》《Science Bulletin》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：稀磁半导体磁性半导体低能离子束X射线衍射磁性更多>>; 相关领域：电子电信电气工程理学航空宇航科学技术更多>>

折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响被引量：5: 《光子学报》2007年第7期1202-1206,共5页白一鸣陈诺夫彭长涛梁平; 国家自然科学基金(60176001);国家重大基础研究发展规划(2002CB311905)资助; 为了分析色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响,在考虑材料折射率色散效应的情况下,运用光学干涉矩阵计算了具有SiO2单层减反射膜和MgF2/ZnS双层减反射膜晶体硅太阳电池的反射率与波长的函数关系,并与实验结果和未考虑色散效应的计算...; 关键词：薄膜光学减反射膜晶体硅太阳电池色散效应

Ferromagnetic MnSb Films Consisting of Nanorods and Nanoleaves: 《Journal of Semiconductors》2007年第5期661-664,共4页戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良; 国家自然科学基金(批准号:60176001,60390072);国家重点基础研究专项基金(批准号:2002CB311905)资助项目~~; Ferromagnetic MnSb films were synthesized on Si wafers by physical vapor deposition. X-ray diffraction revealed that the films primarily consisted of MnSb alloy. Nanorods and nanoleaves were observed in the MnSb films...; 关键词：FERROMAGNETIC MNSB nanorods and nanoleaves physical vapor deposition

色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第4期725-729,共5页白一鸣陈诺夫戴瑞烜王鹏彭长涛; 国家自然科学基金(批准号:60176001);国家重大基础研究发展规划(批准号:2002CB311905)资助项目~~; 考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线,并与未考虑色散效应的情况进...; 关键词：色散效应加权平均反射率双层减反射膜 GAAS太阳电池

低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2385-2389,共5页杨霏陈诺夫张兴旺杨少延刘志凯柴春林侯哲哲马辉尹志刚; 国家自然科学基金(批准号:60176001;60390072);国家重大基础研究发展规划(批准号:2002CB311905;G20000365)资助项目~~; 在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射对样品进行了表征.结果显示常温和400℃制备的样品为非晶结构,在800...; 关键词：3C-SIC 离子束沉积 (111)织构低能量扩散通道效应

低能离子束方法制备Mn-Si薄膜: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期94-97,共4页刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯; 国家自然科学基金(批准号:60176001和60390072),国家重大基础研究发展计划(批准号:G20000365和G2002CB311905)资助项目; 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下...; 关键词：低能离子束硅锰 X射线衍射

低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究: 《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯; 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~; 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...; 关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱

神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析被引量：2: 《空间科学学报》2004年第6期455-461,共7页张富强陈诺夫吴金良钟兴儒林兰英; 国家载人航天工程;国家自然科学基金项目(60176001);国家重点基础研究专项经费(G20000365); 利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长...; 关键词：神舟3号飞船微重力 GaMnSb 稀磁半导体 X射线衍射多晶结构

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第8期967-971,共5页刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~; 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子...; 关键词：硅铁低能离子束重掺杂

离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜: 《Journal of Semiconductors》2004年第8期972-975,共4页李艳丽陈诺夫周剑平宋书林杨少延刘志凯; 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 ;G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~; 采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 ...; 关键词：离子束淀积 X射线衍射 GdSi2

低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2: 《功能材料》2004年第4期429-431,共3页刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905); 　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,...; 关键词：低能离子束硅铁磁性磁性半导体

国家自然科学基金(60176001)