国家自然科学基金(50872028)

作品数：10被引量：14H指数：3
导出分析报告
相关作者：陈贵锋蔡莉莉冯翠菊薛晶晶郝秋艳更多>>
相关机构：河北工业大学华北科技学院浙江大学中海油田服务股份有限公司更多>>
相关期刊：《硅酸盐学报》《Chinese Physics B》《硅酸盐通报》《稀有金属》更多>>
相关主题：电子辐照直拉硅氧沉淀辐照缺陷OXYGEN更多>>
相关领域：电子电信建筑科学交通运输工程更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
多晶硅锭定向凝固过程的温度场模拟被引量：5
《材料科学与工程学报》2015年第1期117-121,共5页蔡莉莉 冯翠菊 王会彬 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省教育厅科技资助项目(Z2013024);中央高校基本科研业务费资助项目(JCB2013B09)
采用数值模拟方法研究了不同的工艺条件对多晶硅锭定向凝固过程中固液界面形状和温度梯度的影响,为优化多晶硅凝固过程的参数和有效控制定向凝固过程提供了参考依据。模拟结果表明,降埚速率越大,晶体生长速率越快,硅锭内温度梯度也随之...
关键词：多晶硅锭 数值模拟 温度梯度 固-液界面 
热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
《硅酸盐通报》2014年第7期1802-1805,共4页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金(50872028);河北省教育厅科技项目(Z2013024);中央高校基本科研业务费(JCB2013B09)
对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响。实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样...
关键词：电子辐照 氧沉淀 缺陷形貌 快速热处理(RTP) 清洁区(DZ) 
电子辐照直拉硅中VO_2的红外光谱表征
《材料科学与工程学报》2014年第2期251-254,共4页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省教育厅科技资助项目(Z2013024);中央高校基本科研业务费资助项目(JCB2013B09)
用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性。实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温...
关键词：电子辐照 傅里叶变换红外光谱(FTIS) 亚稳态缺陷 VO2复合体 
电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响被引量：3
《稀有金属》2013年第1期82-86,共5页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金项目(50872028);河北省自然科学基金项目(E2008000079);河北省教育厅科学研究计划项目(2009318)资助
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多...
关键词：电子辐照 少子寿命 辐照缺陷 电阻率 
低温热处理对电子辐照直拉硅中V-O缺陷的影响被引量：1
《硅酸盐学报》2011年第5期859-862,共4页蔡莉莉 陈贵锋 张辉 郝秋艳 薛晶晶 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E2008-000079);华北科技学院校基金(B009019)资助项目
采用能量为1.5 MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2电子辐照直拉单晶硅;然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200～600℃)热处理。通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位–氧相关缺陷的...
关键词：单晶硅 电子辐照 空位–双氧复合体 辐照缺陷 
快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2011年第5期928-933,953,共7页陈贵锋 马晓薇 吴建海 马巧云 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省自然科学基金资助项目(E2008000079);河北省教育厅科研计划资助项目(2009318)
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐...
关键词：中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区 
快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
《硅酸盐学报》2010年第10期1927-1930,共4页马巧云 陈贵锋 马晓薇 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E20-08000079);河北省教育厅科研计划(2009318)资助项目
利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺...
关键词：快中子辐照 直拉硅 氧沉淀 缺陷 
快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响被引量：1
《硅酸盐学报》2010年第2期196-200,共5页蔡莉莉 陈贵锋 李养贤 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E2008000079);河北省教育厅科学研究计划(2009318)资助项目
对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明...
关键词：硅单晶 电子辐照 氧沉淀 快速热处理 清洁区 
Infrared studies of oxygen-related complexes in electron-irradiated Cz-Si
《Chinese Physics B》2009年第7期2988-2991,共4页陈贵锋 阎文博 陈洪建 崔会英 李养贤 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50872028);Natural Science Foundation of Hebei Province of China (Grant Nos E200500048 and E2008000079);Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No 20050080006)
This paper investigates the infrared absorption spectra of oxygen-related complexes in silicon crystals irradiated with electron （1.5 MeV） at 360 K.Two groups of samples with low [Oi] = 6.9 x 10^17 cm^-3 and high [O...
关键词：electron irradiation CZ-SI defect complex annealing processes 
The effects of fast neutron irradiation on oxygen in Czochralski silicon
《Chinese Physics B》2009年第1期293-297,共5页陈贵锋 阎文博 陈洪建 李兴华 李养贤 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50872028);the Natural Science Foundation ofHebei Province,China (Grant No E2008000079);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Educationof China (Grant No 20050080006)
The effects of fast neutron irradiation on oxygen atoms in Czochralski silicon （CZ-Si） are investigated systemically by using Fourier transform infrared （FTIR） spectrometer and positron annihilation technique （PA...
关键词：neutron irradiation irradiation defects FTIR spectrometer positron lifetime 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部