国家重点基础研究发展计划(2003CB314903)

作品数：26被引量：34H指数：3
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侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用
《固体电子学研究与进展》2011年第3期305-309,共5页刘成 曹春芳 劳燕锋 吴惠桢 
国家"973"计划资助项目(2003CB314903)
研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了...
关键词：侧向腐蚀 电流限制孔径 垂直腔面发射激光器 
AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用被引量：1
《半导体光电》2009年第5期691-695,699,共6页刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 
国家"973"计划项目(2003CB314903)
应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异...
关键词：异质隧道结 垂直腔面发射激光器 光电特性 
Cl2/H2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用被引量：2
《光电子．激光》2009年第5期583-586,共4页江山 董雷 张瑞康 罗勇 谢世钟 
国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA03Z427);国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314903)
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外...
关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 金属氧化物化学气相沉积(MOCVD) 分布反馈(DFB)激光器 可靠性 
单片集成可调谐半导体激光器研究进展
《光通信研究》2009年第1期1-4,10,共5页江山 谢世钟 
国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA03Z427);国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314903)
单片集成可调谐半导体激光器的使用为光纤通信系统和智能光网络带来极大的灵活性、可扩展性以及经济性。文章综述了单片集成可调谐半导体激光器的调谐机制、结构特点以及性能比较,概要介绍了最新研究进展情况,分析了相关发展趋势和市场...
关键词：光子集成光路 可调谐半导体激光器 密集波分复用 智能光网络 
键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2286-2291,共6页劳燕锋 曹春芳 吴惠桢 曹萌 刘成 谢正生 龚谦 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~
设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定...
关键词：垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 隧道结 
InP／空气隙结构的制作与特性
《光电子．激光》2008年第9期1188-1191,共4页刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 
国家“973”计划资助项目(2003CB314903)
研究了采用不同溶液制作InP/空气隙的侧向腐蚀工艺,对腐蚀速率、晶向选择性、表面形貌进行了分析;研究了粘附释放工艺;在上述基础上制作完成了InP/空气隙结构,并采用微拉曼光谱来分析其应力分布情况,证实了制作工艺的可靠性。
关键词：InP/空气隙 侧向腐蚀 微拉曼光谱 
MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1177-1179,共3页张瑞康 董雷 余永林 王定理 张靖 陈磊 江山 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z427);国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314903);国家自然科学基金(批准号:60677024)资助项目~~
采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.
关键词：MOCVD 对接生长 波导 
离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第4期765-769,共5页刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~
采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显...
关键词：电致发光器件结构 电流限制孔径 离子注入 
SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第2期356-360,共5页董雷 张瑞康 王定理 张靖 陈磊 江山 赵圣之 余永林 刘水华 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z427);国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314903);国家自然科学基金(批准号:60677024)资助项目~~
讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符,且在30nm准连续调谐范围内边模抑制比都大于30dB.
关键词：SGDBR半导体激光器 取样光栅 梳状光谱 
长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺被引量：2
《半导体光电》2007年第5期667-670,675,共5页刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 
国家"973"计划项目(2003CB314903)
简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低...
关键词：垂直腔面发射激光器 欧姆接触 比接触电阻 快速退火 
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