国家高技术研究发展计划(2011AA050401)

作品数：9被引量：82H指数：5
导出分析报告
相关作者：胡小波徐现刚张泽峰徐玲周洋更多>>
相关机构：山东大学华中科技大学浙江大学中国科学院更多>>
相关期刊：《Chinese Physics B》《电工技术学报》《人工晶体学报》《中国电机工程学报》更多>>
相关主题：IGBT模块碳化硅PROSPECTPOWER_GRID半导体开关更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
4700V碳化硅PiN整流二极管被引量：10
《电工技术学报》2015年第22期57-61,共5页陈思哲 盛况 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401);国家电网公司2013年总部科技项目(SGRIDGKJ[2013]210号)资助
碳化硅Pi N二极管是一种理想的高压二极管器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点。通过使用有限元分析的方法对器件外延层参数以及终端结构进行了仿真,提出了优化的器件原胞和终端设计。基于50μm厚、掺杂浓度为1.5×10^(15)cm^(...
关键词：4H型碳化硅 整流二极管 终端保护 少子注入 
Design consideration and fabrication of 1.2-kV 4H-SiC trenched-and-implanted vertical junction field-effect transistors被引量：2
《Chinese Physics B》2014年第7期649-654,共6页陈思哲 盛况 
supported by the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2011AA050401);the National Science Fundfor Distinguished Young Scholars,China(Grant No.51225701)
We present the design consideration and fabrication of 4H-SiC trenched-and-implanted vertical junction field-effect transistors （TI-VJFETs）. Different design factors, including channel width, channel doping, and mes...
关键词：silicon carbide trenched-and-implanted vertical junction field-effect transistor normally-on device normally-off device 
1.4 kV 4H-SiC PiN diode with a robust non-uniform floating guard ring termination被引量：1
《Journal of Semiconductors》2014年第5期32-35,共4页陈思哲 盛况 王珏 
supported by the National High Technology Research and Development Program of China(No.2011AA050401);the Project of State Grid Corporation of China(No.SGRIDGKJ[2013]210)
This paper presents the design and fabrication of an effective, robust and process-tolerant floating guard ring termination on high voltage 4H-SiC PiN diodes. Different design factors were studied by numerical simulat...
关键词：silicon carbide PiN diode field guarding rings edge termination 
SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析被引量：3
《人工晶体学报》2014年第5期1017-1022,共6页于国建 徐明升 胡小波 徐现刚 
国家自然科学基金(11134006;51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)
通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数...
关键词：高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层 
Ti掺杂6H-SiC电学性质研究被引量：5
《人工晶体学报》2014年第4期733-737,共5页杨昆 杨祥龙 陈秀芳 崔潆心 彭燕 胡小波 徐现刚 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401);国家自然科学基金(51323002);山东大学自主创新基金(2012ZD047);国家科技重大专项(2012ZX01006)
使用物理气相传输方法（PVT）制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱（LTPL）和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征。结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,T...
关键词：物理气相传输 Ti掺杂 6H-SIC 电阻率 
IGBT模块焊料层空洞对模块温度影响的研究被引量：13
《中国电子科学研究院学报》2014年第2期125-129,共5页徐玲 周洋 张泽峰 陈明祥 刘胜 
国家863高技术基金项目(2011AA050401)
介绍了IGBT模块的封装工艺,分析真空回流焊接过程中焊料层空洞的形成机理,并使用SAM方法检测并测量空洞;接着通过有限元模拟方法对模块进行热分析,对比了焊料层有、无空洞情况下模块的整体温度,具体研究焊料层空洞尺寸、空洞分布位置和...
关键词：IGBT 焊料层空洞 有限元分析 热分析 可靠性 
同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力被引量：4
《人工晶体学报》2013年第12期2515-2519,2531,共6页宋生 崔潆心 杨昆 徐现刚 胡小波 黄万霞 袁清习 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401);国家自然科学基金(51021062;11134006)
提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例...
关键词：同步辐射 白光形貌术 残余应力 碳化硅 
IGBT模块回流焊工艺中预翘曲铜基板的研究被引量：5
《中国电子科学研究院学报》2013年第6期578-582,共5页周洋 徐玲 张泽峰 陈明祥 刘胜 
国家863高技术基金项目(2011AA050401)
IGBT模块铜基板的平整度对于模块的可靠性至关重要,在工业生产中,往往会通过机械的方法使平整的铜基板预翘曲成凹形,从而达到使铜基板在回流焊之后变得平整目的。基于Anand粘塑性模型,通过有限元的方法建立回流焊工艺模型分析整个回流...
关键词：IGBT 预翘曲 回流焊 铜基板 
Development and Prospect of SiC Power Devices in Power Grid被引量：42
《中国电机工程学报》2012年第30期I0001-I0001,3,共1页SHENG Kuang GUO Qing ZHANG Junming QIAN Zhaoming 
国家863高技术基金项目（2011AA050401）
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和...
关键词：功率器件 电网 SiC 电力电子系统 可再生能源资源 展望 半导体开关 能源技术 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部