国家自然科学基金(10475029)

作品数:11被引量:2H指数:1
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等离子体刻蚀提纯冶金硅研究
《功能材料》2009年第3期400-402,共3页尹盛 曹伯承 赵亮 王敬义 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75%提高到99.56%。在此基础上,设计射频感...
关键词:冷等离子体 冶金级硅 刻蚀 射频 
直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀
《华中科技大学学报(自然科学版)》2008年第7期41-44,共4页李战春 尹盛 赵亮 王敬义 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建立了包括高能中性粒子贡献的刻蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×10^15/(cm^2·...
关键词:等离子体 粉粒表面刻蚀 沉降时间 刻蚀速率 
粉尘等离子体的研究
《中国材料科技与设备》2008年第1期37-39,共3页尹盛 赵亮 李战春 王敬义 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响,讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。
关键词:硅粉纯化 等离子体稳定性 刻蚀速率 太阳级硅 
平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算被引量:1
《中国材料科技与设备》2007年第6期56-59,共4页尹盛 王飞 李战春 王敬义 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
利用所建立的鞘层区离子速度分布函数,得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率,结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数:压力、温度、...
关键词:等离子体鞘层 分布函数 平均参数 刻蚀速率 
硅粉在冷等离子体中的刻蚀纯化
《功能材料》2007年第A02期930-932,共3页王家鑫 尹盛 王飞 王敬义 
国家自然科学基金资助项目(10475029).
介绍了一种用直流辉光放电产生的冷等离子体对硅粉刻蚀纯化的方法。实验是在氩气氛中进行,结果表明硅粉纯度可由97.66%提高到98.47%。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理,因此是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中...
关键词:粉粒表面刻蚀 刻蚀纯化 太阳级硅 直流 冷等离子体 
硅粉在带振动阴极反应室中的刻蚀
《中国材料科技与设备》2007年第6期37-40,共4页王敬义 尹盛 赵亮 赵伯芳 王飞 王家鑫 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久,这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高...
关键词:等离子体纯化 粉体表面刻蚀 振动阴极 
直流氩等离子体硅粉纯化工艺的研究
《功能材料》2007年第8期1377-1379,1382,共4页王飞 尹盛 王家鑫 陈亮亮 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
  针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4~10L/s,粉粒的粒度范围为70~100μm。为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层...
关键词:粉粒纯化 工艺参数 鞘层 太阳级硅 
一种新型反应室的分析与实验
《功能材料》2007年第A10期4093-4095,共3页尹盛 王敬义 赵亮 赵伯芳 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
对振动阴极上粉体的运动分析表明粉粒在阴极表面停留的时间与阴极表面倾斜角、气体反吹速度和粉粒大小等有关,其停留时间可达10min以上。用这种等离子反应室对硅粉刻蚀,可在硅粉流经反应室一次即可刻蚀200nm的表面厚度。这意味着纯化...
关键词:粉体表面刻蚀 硅粉提纯 振动阴极 
硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯被引量:1
《稀有金属材料与工程》2007年第A03期547-550,共4页尹盛 王敬义 李战春 张繁 沈亮 赵伯芳 
国家自然科学基金(10475029)
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均...
关键词:粉粒表面刻蚀 刻蚀提纯 太阳级硅 直流等离子体 
冷等离子体中的粉体研究
《功能材料》2007年第A10期4022-4024,共3页王敬义 尹盛 赵亮 赵伯芳 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果,分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刻蚀状况。理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉...
关键词:冷等离子体 粉体表面刻蚀 硅粉纯化 
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