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国家自然科学基金(69771024): 作品数：12被引量：30H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：王耘波王华于军谢基凡周文利更多>>; 相关机构：华中科技大学华中理工大学桂林电子工业学院更多>>; 相关期刊：《微电子学》《压电与声光》《物理学报》《材料工程》更多>>; 相关主题：铁电薄膜PZTBIT脉冲激光沉积铁电存储器更多>>; 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

退火温度对Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜微观结构影响研究被引量：1: 《材料工程》2002年第11期29-31,47,共4页王华于军王耘波倪尔瑚; 国家自然科学基金项目资助 (697710 2 4);广西教育厅基金项目资助 (桂教科研 2 0 0 15 6); 采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 Bi4 Ti3O1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 Bi4 Ti3O1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0～ 85 0℃...; 关键词：Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜铁电薄膜 BI4TI3O12 微观结构退火温度硅钛酸铋

Sol-Gel工艺Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜制备与晶相结构研究被引量：1: 《材料科学与工程》2002年第4期504-506,526,共4页王华于军王耘波秦冬成; 国家自然科学基金资助项目 (69771 0 2 4 );广西教育厅基金资助项目(桂教科研D2 0 0 1 56); 采用Sol Gel工艺制备了Si基Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响。研究表明 ,退火温度对Si基Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜晶相结构的影响最为显著 ,而且随退火温度升高 ,Bi4 Ti3O1 2 薄膜更趋向于...; 关键词：SOL-GEL法铁电薄膜晶相结构制备工艺钛酸铋铁电材料

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟被引量：1: 《微电子学》2002年第2期109-112,共4页周志刚王耘波于军谢基凡徐静平刘刚王华朱丽丽; 国家自然科学基金资助项目 (6 97710 2 4 );武汉市晨光青年科技计划项目; 文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管 ( FEMFET)的 I- V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念己不再适用 ,由于铁电层反偏偶极子的开关作用 ,自发极化的增加对存储器...; 关键词：铁电存储场效应晶体管 FEMFET I-V特性极化直观原型

铁电存储器研究进展被引量：14: 《信息记录材料》2002年第1期31-35,共5页周志刚王耘波王华于军谢基凡郭冬云; 国家自然科学基金(69771024); 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。; 关键词：铁电存储器研究进展铁电薄膜 FRAM FFET

铁电电容的物理模型研究被引量：1: 《压电与声光》2001年第3期244-246,共3页朱丽丽于军周文利王耘波王华徐静平谢基凡; 国家自然科学基金!资助项目 ( 697710 2 4); 用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中把分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构 ,包括铁电层和非开关介电层。通过这种方法改进了 Sawyer- Tower电路并测量了其电特性。用该模型较准确地测量了由于输入信号频...; 关键词：物理模型 Sawyer-Tower回路极化强度铁电电容器

Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能: 《Journal of Semiconductors》2001年第5期641-645,共5页王华于军董晓敏周文利王耘波谢基凡; 国家自然科学基金! (批准号 :697710 2 4);湖北省自然科学基金! (批准号 :98J0 3 6)&&; 采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测...; 关键词：脉冲激光沉积铁电薄膜铁电存储二极管锆钛酸铅

Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究被引量：4: 《物理学报》2001年第5期981-985,共5页王华于军董小敏王耘波周文利赵建洪周东祥; 国家自然科学基金 (批准号 :697710 2 4)&&; 采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧...; 关键词：铁电薄膜脉冲激光沉积 Au/PZT/BIT/p-Si异质结 BIT铁电层导电机制

低温制备Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜及其性能研究被引量：2: 《功能材料》2001年第3期250-251,253,共3页王华于军王耘波周文利谢基凡朱丽丽; 国家自然科学基金资助项目(69771024); 采用脉冲激光沉积技术（ＰＬＤ）在（１００）ｐ－Ｓｉ衬底上，低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶ＰＺＴ铁电薄膜。所制备的ＰＺＴ铁电薄膜致密、均匀，表现出良好的介电和铁电性能．其介电常数和介电损耗１００...; 关键词：PZT 铁电薄膜 PLD 制备工艺性能

Memory characteristics of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode: 《Science China(Technological Sciences)》2001年第3期274-279,共6页王华于军董晓敏周文利王耘波郑远开赵建宏; This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 69771024) ; the Natural Science Foundation of Hebei Province (Grant No. 98J026) .; A ferroelectric memory diode consisting of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration has been fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The ferroelectric properties and the memory characteristics are inves...; 关键词：ferroeletric films memory diode Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 BI4TI3O12

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管的可靠性: 《中国科学（E辑）》2001年第3期223-227,共5页王华于军董晓敏周文利王耘波颜冲周东祥; 国家自然科学基金(批准号 :6 97710 2 4);湖北省自然科学基金(批准号 :98J0 36 )资助项目; 采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对该二极管的I V特性、电容保持特性、疲劳 (fatigue)特性和印迹 (imprint)特性进行了研究 .结果表明 :该铁电二极管的I V特性表现出明显的单向导电性 ,表现出类似...; 关键词：铁电存储器铁电二极管 I-V特性疲劳特性印迹特性可靠性

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