云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(69836020)

国家自然科学基金(69836020): 作品数：25被引量：37H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：陈培毅郭维廉钱佩信郑云光邓宁更多>>; 相关机构：清华大学天津大学帝国理工学院无锡微电子科研中心更多>>; 相关期刊：《微纳电子技术》《光电子．激光》《传感技术学报》《微电子学》更多>>; 相关主题：SIGESISOISIGE_HBTHBT更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

Si基Ge量子点光电探测器的研究被引量：5: 《半导体光电》2006年第4期379-382,共4页魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅; 国家自然科学基金重点基金项目(69836020);教育部985项目(JZ2001010); 采用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K)PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上,流...; 关键词：UHV/CVD 量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度

以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究被引量：2: 《传感技术学报》2006年第05A期1771-1774,共4页魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅刘理天张璟; 国家自然科学基金重点基金资助(69836020);教育部985基金资助(JZ2001010); 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜...; 关键词：增透膜气态源分子束外延量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度

Low Voltage Flash Memory Cells Using SiGe Quantum Dots for Enhancing F-N Tunneling: 《Journal of Semiconductors》2006年第3期454-458,共5页邓宁潘立阳刘志宏朱军陈培毅彭力; 国家自然科学基金资助项目(批准号:69836020)~~; A novel flash memory cell with stacked structure （Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/polySi floating gate） is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing....; 关键词：flash memory SiGe quantum dots enhanced F.N tunneling

Si组分对SiGe量子点形状演化的影响被引量：5: 《物理学报》2004年第9期3136-3140,共5页邓宁陈培毅李志坚; 国家自然科学基金重点基金 (批准号 :6983 60 2 0 );教育部 985 (批准号 :JZ2 0 0 10 10 );中国博士后科学基金资助的课题~~; 研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子...; 关键词：量子器件异质外延生长应变自组装硅锗量子点临界体积硅组分

Electrical Performance of Electron Irradiated SiGe HBT and Si BJT: 《Journal of Materials Science & Technology》2004年第6期706-708,共3页WentaoHUANG JilinWANG ZhinongLIU PeiyiCHEN PeihsinTSIEN XiangtiMENG; This project is financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.10075029 and 69836020);National“863”Advanced Research Project of China(No.2002AA3Z1230).; The change of electrical performances of 1 MeV electron irradiated silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied. After electron irradiation, bot...; 关键词：Electron irradiation SiGe HBT Si BJT Electrical performance

SOI近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的研制被引量：1: 《光电子．激光》2003年第12期1277-1280,共4页莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光; 国家自然科学基金资助项目(69836020);国家重点基础研究973资助项目(2002CB311905); 给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程。对制得的样管进行了典型光电参数的测试。测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3μm,峰值响应波长在0.93～0.97μm,峰值波长下响应度达0.38μA/μW,与Si光电探...; 关键词：SOI 近红外 Si0.8Ge0.2/Si横向pin探测器响应波长响应峰值光电性能

多层Ge量子点的生长及其光学特性被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2003年第9期951-954,共4页邓宁王吉林黄文韬陈培毅李志坚; 国家自然科学基金 (批准号 :6 9836 0 2 0 );教育部985(批准号 :Jz2 0 0 10 10 )资助项目~~; 用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 .分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸 ,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响 .观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移 ...; 关键词：超高真空化学气相淀积多层锗量子点 PL谱

Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave P ower SiGe HBT被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2003年第9期897-902,共6页刘志农熊小义黄文韬李高庆张伟许军刘志弘林惠旺许平陈培毅钱佩信; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~; A new 125mm UHV/CVD SiGe/Si epitaxy equipment SGE500 capable of commercialization is constructed and device-level SiGe HBT material is grown.A polysilicon emitter (PolyE) double mesa microwave power SiGe HBT showing e...; 关键词：SIGE HBT microwave power amplifer

横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟被引量：2: 《半导体光电》2003年第4期242-244,247,共4页莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光; 国家自然科学基金资助项目(69836020).; 　采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的...; 关键词：SIGE 近红外光电探测器器件模拟

近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2003年第3期311-315,共5页莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6983 60 2 0 ); 设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响...; 关键词：光电集成电路 Si0.8Ge0.2/Si-pin 横向光电探测器模拟光电性能近红外光

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