云南省自然科学基金(2008CC012)

作品数：12被引量：21H指数：3
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相关作者：杨宇王茺李亮鲁植全杨洲更多>>
相关机构：云南大学中国科学院昆明理工大学昆明冶研新材料股份有限公司更多>>
相关期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《材料导报》《功能材料与器件学报》更多>>
相关主题：离子束溅射表面形貌温度P-MOSFETRAMAN光谱更多>>
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绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1
《红外与毫米波学报》2013年第4期304-308,共5页于杰 王茺 杨洲 陈效双 杨宇 
国家自然科学基金(10990103;11274266);教育部科学研究重点项目(210207);云南省自然基金重点项目(2008CC012)~~
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金...
关键词：SGOI P-MOSFET Ge合金组分 
温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量：3
《人工晶体学报》2013年第5期875-879,885,共6页于杰 王茺 杨洲 胡伟达 杨宇 
国家自然科学基金(10990103;11274266);教育部科学技术研究重点(210207);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)
本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性...
关键词：温度 应变SiGe沟道 P-MOSFET 自热效应 
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
《功能材料》2012年第10期1230-1234,共5页叶小松 王茺 关中杰 靳映霞 李亮 杨宇 
国家自然科学基金资助项目(10964016,10990103);教育部科学技术研究重点资助项目(210207);云南省自然科学基金重点资助项目(2008CC012)
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相...
关键词：磁控溅射 Ge/Si纳米点 表面形貌 热化 
Ge/Si量子点的控制生长被引量：2
《红外与毫米波学报》2012年第5期416-420,454,共6页潘红星 王茺 杨杰 张学贵 靳映霞 杨宇 
国家自然科学基金(10990103;10964106);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)~~
采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制...
关键词：硅缓冲层 锗量子点 离子束溅射 
Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
《人工晶体学报》2012年第4期1037-1042,共6页陆顺其 王茺 靳映霞 卜琼琼 杨宇 
国家自然科学基金(10964016;10990103);云南省自然基金重点(2008CC012);教育部科学技术研究重点(210207)资助的项目
应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另...
关键词：化学吸附 表面吸附能 密度泛函理论 
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响被引量：1
《人工晶体学报》2012年第4期950-955,共6页关中杰 靳映霞 王茺 叶小松 李亮 杨宇 
国家自然科学基金项目(10964016;10990103);云南省自然科学基金重点项目(2008CC012);教育部科学技术研究重点项目(210207);云南省教育厅科学研究基金(2011Y114)
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶...
关键词：Ge薄膜 低温Ge缓冲层 射频磁控溅射 
离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变被引量：5
《物理学报》2011年第9期480-486,共7页张学贵 王茺 鲁植全 杨杰 李亮 杨宇 
国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012);教育部学术研究重点项目(批准号:210207)资助的项目~~
采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的...
关键词：离子束溅射 量子点 表面形貌 RAMAN光谱 
Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
《物理学报》2011年第7期547-552,共6页杨洲 王茺 王洪涛 胡伟达 杨宇 
国家自然科学基金(批准号:10964016,60567001);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012)资助的课题~~
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压...
关键词：应变Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容 
温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响被引量：4
《功能材料》2010年第11期1982-1985,共4页张学贵 王茺 杨杰 潘红星 鲁植全 李亮 杨宇 
国家自然科学基金资助项目(10964016);云南省自然科学基金重点资助项目(2008CC012);教育部科学技术研究重点资助项目(2010ME208)
采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强...
关键词：离子束溅射 量子点 表面形貌 RAMAN光谱 
Ge/Si量子点生长的研究进展被引量：1
《材料导报》2010年第19期117-122,共6页鲁植全 王茺 杨宇 
国家自然科学基金(10964016);云南省自然基金重点项目(2008CC012);教育部科学技术研究重点项目
回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以...
关键词：Ge/Si量子点生长 图形衬底 表面原子掺杂 超薄SiO2层 Ge组分 
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