云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61204112)

国家自然科学基金(61204112): 作品数：16被引量：44H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：刘远恩云飞何玉娟李斌杨元政更多>>; 相关机构：工业和信息化部电子第五研究所华南理工大学广东工业大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《北京航空航天大学学报》《微电子学》《强激光与粒子束》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：低频噪声薄膜晶体管绝缘体上硅单粒子效应铟更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术天文地球更多>>

基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 《半导体技术》2019年第7期531-536,共6页何玉娟刘远章晓文; 国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112);广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044); 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪...; 关键词：热载流子注入(HCI)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷

总剂量辐照对热载流子效应的影响研究被引量：4: 《物理学报》2016年第24期149-155,共7页何玉娟章晓文刘远; 国家自然科学基金(批准号:61574048,61204112);广东省科技重大专项(批准号:2015B090912002)资助的课题~~; 研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体(NMOS)器件热载流子测试的影响.试验结果表明:经过100 krad(Si)总剂量辐照后进行5000 s的热载流子测试,NMOS器件阈值电压随着总剂量的增大而减小,然后随热载流子测试时间的增加而增...; 关键词：总剂量辐照热载流子效应协同效应

Low-frequency noise characteristics in the MOSFETs processed in 65 nm technology: 《Journal of Semiconductors》2016年第6期106-111,共6页刘远刘玉荣何玉娟李斌恩云飞方文啸; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61574048,61204112);the Guangdong Natural Science Foundation(No.2014A030313656); Low-frequency noise behavior in the MOSFETs processed in 65 run technology is investigated in this paper.Low-frequency noise for NMOS transistors agrees with McWhorter＇s theory（carrier number fluctuation）,low-frequ...; 关键词：MOSFET low-frequency noise carrier number fluctuation carrier mobility fluctuation

铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法被引量：2: 《物理学报》2016年第12期307-316,共10页王静刘远刘玉荣吴为敬罗心月刘凯李斌恩云飞; 国家自然科学基金(批准号:61574048,61574062,61204112);广东省自然科学基金(批准号:2014A030313656,2015A030306002)资助的课题~~; 本文针对铟锌氧化物薄膜晶体管(IZO TFT)的低频噪声特性与变频电容-电压特性展开试验研究,基于上述特性对有源层内局域态密度及其在禁带中的分布进行参数提取.首先,基于IZO TFT的亚阈区I-V特性提取器件表面势随栅源电压的变化关系.基于...; 关键词：薄膜晶体管变频电容-电压低频噪声缺陷态

典型卫星轨道辐射环境及在轨软错误率预计模型分析被引量：5: 《强激光与粒子束》2015年第9期207-213,共7页张战刚雷志锋恩云飞; 中国博士后科学基金项目(2014M552170);国家自然科学基金项目(61204112); 使用最新版本的Space Radiation 7.0软件对典型卫星轨道(包括地球同步轨道、中地轨道和低地轨道)的空间辐射环境进行提取和计算,分析不同空间天气和屏蔽条件下的轨道离子通量-能量谱和通量-线性能量沉积(LET)谱特点。以一款SOI SRAM为例...; 关键词：空间辐射环境软错误率单粒子效应

双极型电压比较器的强电磁脉冲效应被引量：2: 《微电子学》2015年第3期395-399,共5页程晋利刘远刘健波魏爱香恩云飞毛从光; 国家自然科学基金资助项目(61204112);中国博士后科学基金资助项目(2012M521628); 基于大电流注入法(BCI),利用瞬态脉冲产生器模拟强电磁脉冲在双极型电压比较器中产生的耦合电流,观测到输出信号在注入瞬态大电流后的波形变化,包括占空比变化及脉冲衍生等。从基本电路原理方面分析了实验现象的产生机理,以及注入电流...; 关键词：大电流注入比较器强电磁脉冲效应占空比脉冲衍生

部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性被引量：2: 《物理学报》2015年第10期394-400,共7页王凯刘远陈海波邓婉玲恩云飞张平; 国家自然科学基金(批准号:61204112;61204116);中国博士后科学基金(批准号:2012M521628);SOI研发中心基金(批准号:62401110320)资助的课题~~; 针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态...; 关键词：绝缘体上硅器件部分耗尽低频噪声缺陷态

Influence of heavy ion irradiation on DC and gate-lag performance of AlGaN/GaN HEMTs被引量：3: 《Chinese Physics B》2015年第5期433-437,共5页雷志锋郭红霞曾畅陈辉王远声张战刚; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61204112); AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） were irradiated by 256 MeV 127I ions with a fluence up to 1 × 10^10 ions/cm2 at the HI-13 heavy ion accelerator of the China Institute of Atomic Energy. Both th...; 关键词：GAN HEMTS IRRADIATION heavy ions

Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout被引量：2: 《Nuclear Science and Techniques》2015年第5期69-75,共7页张战刚刘杰侯明东孙友梅苏弘古松耿超姚会军罗捷段敬来莫丹习凯恩云飞; Supported by National Natural Science Foundation of China(Nos.11179003,10975164,61204112 and 61204116);China Postdoctoral Science Foundation(No.2014M552170); Experimental evidence is presented showing obvious azimuthal dependence of single event upsets(SEU) and multiple-bit upset(MBU) patterns in radiation hardened by design(RHBD) and MBU-sensitive static random access mem...; 关键词：SRAM 各向异性方位角单事件翻转静态随机存取存储器器件设计模式

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响被引量：7: 《物理学报》2015年第7期385-390,共6页刘远陈海波何玉娟王信岳龙恩云飞刘默寒; 国家自然科学基金(批准号:61204112;61204116);中国博士后科学基金(批准号:2012M521628);SOI研发中心基金(批准号:62401110320)资助的课题~~; 本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、...; 关键词：绝缘体上硅部分耗尽电离辐射低频噪声

国家自然科学基金(61204112)