云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2003AA513010)

国家高技术研究发展计划(2003AA513010): 作品数：49被引量：124H指数：7; 导出分析报告; 相关作者：冯良桓郑家贵黎兵李卫张静全更多>>; 相关机构：四川大学兰州大学中国核工业集团公司陕西科技大学更多>>; 相关期刊：《光谱学与光谱分析》《物理学报》《半导体光电》《材料科学与工程学报》更多>>; 相关主题：CDTE太阳电池CDTE太阳电池多晶薄膜背接触更多>>; 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>

后处理对近空间升华法制备CdS薄膜性能影响研究被引量：2: 《四川大学学报（自然科学版）》2011年第5期1149-1152,共4页曾广根黎兵郑家贵蔡亚平张静全武莉莉李卫冯良桓; 国家高技术发展计划(2003AA513010);四川大学青年科学基金(2008003); 将近空间升华法(CSS)沉积所得的CdS薄膜进行退火处理,利用XRD、SEM、暗电导温度关系研究不同退火条件对CdS多晶薄膜性能的影响.结果表明退火后CdS多晶薄膜在(002)面上具有择优取向;退火促使再结晶并促进晶粒长大;暗电导(dark-σ)随退火...; 关键词：CDS薄膜近空间升华退火

Electronic properties and deep level transient spectroscopy of CdS/CdTe thin film solar cells被引量：2: 《Chinese Physics B》2011年第3期378-381,共4页黎兵冯良桓王钊郑旭郑家贵蔡亚平张静全李卫武莉莉雷智曾广根; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60506004);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2003AA513010); It is well known that preparing temperatures and defects are highly related to deep-level impurities. In our studies, the CdTe polycrystalline films have been prepared at various temperatures by close spaced sublimati...; 关键词：CDTE electrical properties deep level transient spectroscopy

单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质被引量：1: 《四川大学学报（自然科学版）》2010年第3期611-614,共4页孟奕峰黎兵冯良桓李愿杰黄杨王洪浩刘才颜璞; 国家自然科学基金(60506004);国家高技术研究与发展计划(2003AA513010); 利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜.通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件.此外,对300℃和400℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的Zn...; 关键词：射频磁控溅射法 ZNS薄膜单带差超晶格太阳电池

射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质被引量：18: 《物理学报》2010年第8期5749-5754,共6页谢婧黎兵李愿杰颜璞冯良桓蔡亚平郑家贵张静全李卫武莉莉雷智曾广根; 国家自然科学基金(批准号:60506004);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA513010)资助的课题~~; 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach...; 关键词：ZNS薄膜射频磁控溅射内应力

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响被引量：2: 《四川大学学报（自然科学版）》2010年第1期146-150,共5页王文武雷智郑家贵冯良桓邓懿蔡亚萍张静全黎兵武莉莉李卫; 863重点项目(2003AA513010);博士点基金项目(20050610024);四川省应用基础(2006J13-083); 对近空间升华法制备的大面积(30 × 40 cm^2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响.结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取,向而退火后(111...; 关键词：大面积CdTe多晶薄膜退火

Deep level transient spectroscopy investigation of deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact被引量：1: 《Chinese Physics B》2010年第2期461-464,共4页王钊黎兵郑旭谢婧黄征刘才冯良桓郑家贵; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60506004);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2003AA513010); Deep levels in Cds/CdTe thin film solar cells have a potent influence on the electrical property of these devices. As an essential layer in the solar cell device structure, back contact is believed to induce some deep...; 关键词：deep level transient spectroscopy CdS/CdTe solar cells Te：Cu back contact

CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级: 《物理学报》2010年第4期2783-2788,共6页郑旭黎兵王钊张东廷冯良桓张静全蔡亚平郑家贵武莉莉李卫雷智曾广根; 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA513010);国家自然科学基金(批准号:60506004)资助的课题~~; 在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心.本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心.研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出Td场...; 关键词：深能级瞬态谱第一性原理 CDTE Cu杂质

溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究被引量：8: 《功能材料》2009年第5期717-719,723,共4页王生浩张静全王波冯良桓蔡亚平雷智黎兵武莉莉李卫曾广根郑家贵蔡伟; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2003AA513010); 采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:...; 关键词：氧化铟锡直流磁控溅射电阻率透光率

ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究被引量：3: 《功能材料》2009年第4期643-644,649,共3页黄杨黎兵王洪浩颜璞李愿杰刘才孟奕峰冯良桓; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2003AA513010);国家自然科学基金资助项目(60506004); 为了提高CdTe太阳电池的效率，ZnS／CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜，用SEM观察样品截面，分层清晰；测试了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图，在300～800nm波长范围内存在4个明显...; 关键词：ZnS/CdS单带差超晶格磁控溅射光透过性质

CdTe太阳电池背接触层的XPS研究: 《光谱学与光谱分析》2009年第4期904-907,共4页杨帆钟永强郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉; 国家“863”重点项目(2003AA513010);教育部博士点基金项目(20050610024);四川省应用基础项目(2006J13-083)资助; 采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不...; 关键词：CDTE太阳电池光电子能谱 ZnTe/ZnTe∶Cu多晶薄膜

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家高技术研究发展计划(2003AA513010)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家高技术研究发展计划(2003AA513010)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索