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国家自然科学基金(61176009): 作品数：15被引量：37H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：左然于海群徐楠何晓崐童玉珍更多>>; 相关机构：江苏大学北京大学上海昀丰光电技术有限公司中国科学院更多>>; 相关期刊：《激光与光电子学进展》《中国科学：技术科学》《Science China(Technological Sciences)》《发光学报》更多>>; 相关主题：MOCVDGAN数值模拟数值模拟研究MOCVD生长更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

加合反应对MOCVD生长GaN化学反应路径的影响被引量：1: 《人工晶体学报》2015年第12期3687-3691,3698,共6页何晓崐左然; 国家自然科学基金(61176009); 针对分隔进口垂直高速转盘式(RDR)MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行数值模拟研究。分别考虑TMG与一个NH_3的加合反应(模型1)和TMG∶NH_3与第二个NH_3的加合反应(模型2)两种情况,通过对比两种情况下衬底表面附近主要反应前体的...; 关键词：MOCVD RDR 反应路径 GAN

大尺寸HVPE反应器托盘温度的数值模拟研究被引量：1: 《人工晶体学报》2015年第7期1849-1854,共6页赵江左然刘鹏童玉珍张国义; 国家自然科学基金(61176009);国家自然科学基金重大仪器装备专项(61327801);国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB013101);国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032605);广东省引进创新科研团队计划(2009010044); 对大尺寸氢化物气相外延(HVPE)反应器的流场和温场进行二维数值模拟研究,旨在提高托盘表面温度和温度分布均匀性。基准模拟显示,靠近喷头的加热器对托盘温度的影响大于底部加热器,随着加热器功率增大,温度分布均匀性变差。在基准模拟的...; 关键词：HVPE反应器数值模拟温场

垂直喷淋式MOCVD反应器中射流影响的研究: 《中国科学：技术科学》2014年第8期861-869,共9页陈传牧左然刘鹏童玉珍张国义; 国家自然科学基金(批准号:61176009);国家重点基础研究发展计划(编号:2011CB013101)资助; 针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温度场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.通过模拟发现:(1...; 关键词：射流 MOCVD反应器数值模拟

MOCVD生长AlN的化学反应-输运过程数值模拟研究被引量：3: 《人工晶体学报》2014年第5期1179-1185,共7页卢钦左然刘鹏童玉珍张国义; 国家自然科学基金(61176009);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB013101); 针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响。研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3...; 关键词：MOCVD 化学反应 ALN 数值模拟

MOCVD生长GaN加合反应路径的密度泛函理论研究被引量：2: 《中国科学：技术科学》2013年第8期878-884,共7页师珺草左然孟素慈; 国家自然科学基金(批准号:61176009)资助项目; 基于量子化学的密度泛函理论,对MOCVD中以TMG和NH3为源气体生长GaN的加合反应路径进行研究.依据NH3过量和不过量两种情况,提出了加合反应的5条分解或聚合路径,并计算了各路径的分子构型和势能面.计算结果表明:在NH3不过量时,加合物TMG:...; 关键词：MOCVD GAN 加合反应量子化学计算密度泛函理论

DFT study on adduct reaction paths of GaN MOCVD growth被引量：3: 《Science China(Technological Sciences)》2013年第7期1644-1650,共7页SHI JunCao ZUO Ran MENG SuCi; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61176009); The adduct reaction paths for GaN growth by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) were studied by quantum chemical calculations employing density functional theory (DFT). Five possible adduct reaction paths ...; 关键词：metal ORGANIC CHEMICAL vapor deposition (MOCVD) GAN ADDUCT reaction quantum CHEMICAL calculation densityfunctional theory (DFT)

HVPE反应器的环形分隔进口数对生长均匀性的影响: 《发光学报》2013年第6期797-802,共6页赖晓慧左然师珺草刘鹏童玉珍张国义; 国家自然科学基金(61176009);国家重点基础研究发展计划(2011CB013101)资助项目; 利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量。结果显示:在只考虑输运的模型中...; 关键词：HVPE GAN 环形进口反应器设计数值模拟

蓝宝石基GaN薄膜的热应力模拟分析被引量：7: 《激光与光电子学进展》2013年第7期174-178,共5页董位左然赖晓慧师珺草; 国家自然科学基金(61176009); 利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的分布情况。分析了应力与沉积温度、薄膜厚度、衬底厚度的关系,同时研究了不均匀温度分布对应力的影响。...; 关键词：薄膜 GAN薄膜热应力沉积温度数值模拟

泡生法生长蓝宝石晶体中固液界面形状的数值模拟研究被引量：3: 《人工晶体学报》2013年第3期441-445,共5页刘方方左然汪传勇; 国家自然科学基金(61176009); 在泡生法蓝宝石单晶生长中,固液界面形状对晶体生长质量影响极大。本文针对泡生法蓝宝石晶体生长进行数值模拟,研究了晶体半透明性、放肩角、底部钼屏保温层厚度、加热器侧部和底部功率分配比等对固液界面形状的影响。模拟结果发现:不...; 关键词：泡生法蓝宝石晶体数值模拟固液界面

泡生法蓝宝石不同生长阶段热应力的数值模拟研究被引量：11: 《材料导报》2012年第22期134-137,共4页杨琳左然苏文佳娄中士; 国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z); 利用计算机模拟对泡生法蓝宝石单晶各生长阶段的热应力进行了分析,发现晶体中最大热应力位于籽晶与新生晶体交界处或靠近固液界面的晶体边缘,其次位于晶体肩部。在此基础上,针对某一生长阶段讨论了加热器位置和坩埚形状对晶体中热应力...; 关键词：泡生法蓝宝石单晶数值模拟固液界面热应力

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