云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(69896260)

国家自然科学基金(69896260): 作品数：98被引量：269H指数：7; 导出分析报告; 相关作者：范希武张吉英余金中申德振刘益春更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所天津大学吉林大学更多>>; 相关期刊：《物理学进展》《电子学报》《Chinese Optics Letters》《激光与红外》更多>>; 相关主题：DFB激光器光致发光SI衬底VCSEL激子更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

SOI光波导高速电光调制器的研究进展被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第12期2069-2074,共6页黄庆忠余金中; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302803);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA3120660);国家自然科学基金(批准号:69896260;60336010;60537010;60576001)资助项目~~; 介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-semiconductor)电容结构和一种具有微环结构的高速电光调制器,其调...; 关键词：SOI 单模条件传输损耗偏振相关耦合效率电光调制器

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计被引量：3: 《厦门大学学报（自然科学版）》2005年第6期874-883,共10页黄美纯; 国家自然科学基金委"九五"重大项目(69896260);国家自然科学基金委重点项目(60336010);国家自然科学基金委面上项目(10274064;60077029)资助; 具有特定功能的半导体材料的计算设计,是计算材料科学的一个重要研究领域.由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布,因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题.为了进一步解决...; 关键词：硅基材料直接带隙对称性材料设计

MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2005年第10期1995-2000,共6页黄家乐毛陆虹陈弘达高鹏刘金彬雷晓荃; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312240;2003AA312040);国家自然科学基金(批准号:69896260)资助项目~~; 为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响...; 关键词：单片集成 MS/RF CMOS工艺硅光电探测器暗电流响应度结电容

ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2004年第11期1500-1504,共5页樊中朝余金中陈少武杨笛严清峰王良臣; 国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~; 研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗...; 关键词：SOI ICP 粗糙度脊形光波导

Research progress of self-organized Ge quantum dots on Si substrate: 《Progress in Natural Science:Materials International》2004年第5期388-395,共8页HUANGChangjun YUJinzhong WANGQiming; Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 69787004, 69746001, 69990540 and 69896260);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 863-307-06-05(03)); and the Major State Basic Res; A review is presented on recent research development of self-organized Ge/Si quantum dots (QDs). Emphasis is put on the morphological evolution of the Ge quantum dots grown on Si (001) substrate, the structure analysi...; 关键词：quantum dots Si-based optoelectronics SiGe material.

SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展被引量：4: 《中国科学（E辑）》2004年第10期1081-1093,共13页余金中陈少武夏金松王章涛樊中朝李艳萍刘敬伟杨笛陈媛媛; 国家"九七三"计划(批准号: G2000-03-66);"八六三"计划(批准号: 2002AA312060);国家自然科学重大基金(批准号: 69896260);重点基金(批准号: 60336010)资助项目; SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用...; 关键词：SOI 光开关矩阵光波导器件单模多模干涉耦合器脊形波导单片集成导光折射率差衬底

支撑光网络发展的光子集成器件研发与趋势被引量：1: 《深圳大学学报（理工版）》2004年第3期189-195,共7页王启明; 国家重点基础研究发展计划项目(G2000036603;90104003);国家自然科学基金重大研究计划项目(69896260); 从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述目前支撑光网络关键性光子器件的发展现状,指出光器件集成芯片、光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.; 关键词：光网络光器件光子集成光电子集成

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究: 《液晶与显示》2004年第2期116-119,共4页殷景志杜国同龙北红杨树人许武宣丽; 国家自然科学基金重大项目资助 (No .698962 60 ); 为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12...; 关键词：半导体光放大器磷化铟应变补偿结构晶格匹配偏振灵敏度量子阱结构

自组装Ge/Si量子点的研究进展被引量：5: 《自然科学进展》2004年第1期28-33,共6页黄昌俊余金中王启明; 国家自然科学基金重大项目(批准号:69896260);国家重点基础研究发展规划项目(G2000036603)资助; 回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法.; 关键词：量子点锗/硅材料硅基光电子学自组装材料形貌演变研究进展

Growth and optical characteristics of ZnCdSe/ZnSe QWs on Si substrate with ZnO buffer被引量：1: 《Chinese Optics Letters》2003年第11期668-670,共3页王晓华范希武单崇新张吉英张振中吕有明刘益春贾中元钟景昌申德振; This research was supported by the National Fundamental and Applied Research Project; The Key Project of the National Natural Science Foundation of China (No. 69896260);the Innovation Project Item, Chinese Academy of Sciences, the Program of CAS Hundred; In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnO-Si (111) templates are reported. An oriented ZnO thin film with a smooth surface was employed to be the buffer layer for...; 关键词：Semiconductor quantum wells SUBSTRATES

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