国防科技技术预先研究基金(41308060106)

作品数：13被引量：38H指数：4
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AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT性能的影响被引量：1
《中国科学（E辑）》2006年第9期925-932,共8页杨燕 郝跃 张进城 王冲 冯倩 
国家重大基础研究项目(973)(批准号:51327020301);国防预先研究项目(批准号:41308060106)资助
采用数值算法自洽求解Poisson和Schrdinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高Al含量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的导带结构、电子浓度以及二维电子气(2DEG)薄层电荷密度的影响.利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 应变弛豫度 
氮化镓干法刻蚀研究进展被引量：1
《半导体技术》2006年第6期409-413,共5页王冲 郝跃 冯倩 郭亮良 
国家重大基础研究项目(973)(2002CB311904);国防预先研究项目(41308060106)
对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min...
关键词：氮化镓 下法刻蚀 等离子体 刻蚀损伤 
变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第5期864-868,共5页王冲 张金风 杨燕 郝跃 冯倩 张进城 
国防973计划项目(批准号:513270407);国防科技预研基金(批准号:41308060106);;国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB3119)资助项目~~
通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25-200℃之间的变化，分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流...
关键词：高电子迁移率晶体管 二维电子气 传输线模型 泄漏电流 
AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2396-2400,共5页张进城 王冲 杨燕 张金凤 冯倩 李培咸 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(批准号:513270407;2002CB3119);国防科技预研基金(批准号:41308060106);国防科技重点实验室(批准号:51432030204DZ0101)资助项目~~
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaNHEMT器件和AlGaN/AlN/GaNHEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaNH...
关键词：ALGAN/GAN AlN阻挡层 二维电子气 HEMT 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型被引量：4
《电子学报》2005年第2期205-208,共4页杨燕 王平 郝跃 张进城 李培咸 
国家重大基础研究 (973)项目 ;国防预先研究项目支持研究 (No .41 30 80 60 1 0 6)
基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻 
6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响
《微电子学》2004年第3期257-260,264,共5页龚欣 张进城 郝跃 李培咸 
国防预先研究项目资助课题(41308060106)
　采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物...
关键词：SICOI MESFET 结构参数 
SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究被引量：8
《物理学报》2004年第2期626-630,共5页冯倩 郝跃 张晓菊 刘玉龙 
国家重大基础研究项目 ( 973计划 );国防预研项目 (批准号 :413 0 80 60 10 6)资助的课题~~
利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN :Mg薄膜特性进行研究发现 :除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外 ,大部分Mg原子以间隙原子状态 (Mgi)存在 ,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起...
关键词：碳化硅衬底 氮化镓:镁材料 扫描电子显微镜 拉曼散射光谱 光致发光谱 化合物半导体 
纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1044-1048,共5页张进城 马晓华 郝跃 范隆 李培咸 
国防预先研究资助项目 (编号 :4130 80 6 0 10 6 )~~
在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型 ,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响 .模拟结果和测量数据的比较表明该模型在 10 16～ 10 2 0 cm-3的电子浓度、30～ 80 0...
关键词：GAN 电子迁移率 解析模型 
基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解被引量：4
《物理学报》2003年第12期2985-2988,共4页李培咸 郝跃 范隆 张进城 张金凤 张晓菊 
国防科技预研项目 (批准号 :413 0 80 60 10 6)资助的课题~~
基于量子力学微扰理论的分析 ,得到AlGaN GaN异质结波函数的半解析模型 .给出了模型的理论分析和计算结果 .对于相同问题 ,给出了与差分算法的对照结果 .与传统的差分方法相比 ,半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点 ,...
关键词：氮镓铝 氮化镓 量子微扰 量子阱 薛定谔方程 异质结波函数 量子力学 差分算法 半导体材料 
AlGaN/GaN界面特性研究进展被引量：5
《微纳电子技术》2002年第10期1-7,共7页郝跃 张金凤 
国防科技预先研究项目支持项目(41308060106)
GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGa...
关键词：ALGAN/GAN异质结 二维电子气 表面特性 氮化镓 铝镓氮三元化合物 
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