湖南国芯半导体科技有限公司

作品数：15被引量：34H指数：3
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发文领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程电气工程更多>>
发文主题：功率模块功率半导体器件模块封装导电类型碳化硅更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《绝缘材料》《半导体技术》《电力电子技术》更多>>
所获基金：湖南省科技计划项目湖南省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
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碳化硅MOSFET基于栅压延时关断方法的结温监测技术研究被引量：1
《机车电传动》2023年第5期145-151,共7页周维 王勇志 魏晓慧 郭维立 何勇 
湖南省重点研发计划项目(2022GK2006)。
准确监测功率器件结温一直是器件厂商及应用端非常重要的一项工作。主流的温敏电参数法由于响应速度快、测量准确,被广泛地应用于各个领域。目前在硅基器件应用上已相对成熟,然而由于碳化硅器件的高开关特性及栅极氧化层缺陷,采用电参...
关键词：栅极电压延时 温敏电参数 结构函数 碳化硅MOSFET 热阻 
SiC功率器件先进互连工艺研究
《机车电传动》2023年第4期152-157,共6页杜隆纯 何勇 刘洪伟 刘晓鹏 
针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求,文章研究了芯片双面银烧结技术与粗铜线超声键合技术的高可靠性先进互连工艺。通过系列质量评估与测试方法对比分析了不同烧结工艺对芯片双面银烧结层和芯片剪切强度的影响,分析了衬板表面...
关键词：碳化硅功率器件 芯片双面银烧结 铜线键合 
有机硅凝胶及其在IGBT功率模块封装中的应用被引量：10
《绝缘材料》2023年第5期26-31,共6页曾亮 何勇 刘亮 戴小平 张俊杰 
湖南省科技计划项目(2018XK2202)。
为了评估国产有机硅凝胶在绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块封装中的应用情况,选取了3种国产有机硅凝胶进行综合性能对比,包括固化前外观、密度、黏度、混合比例和凝胶时间,固化后绝缘性能、渗油性、阻尼性、粘附性和200℃下耐高温性能...
关键词：有机硅凝胶 封装材料 功率模块 IGBT模块 
功率模块铜线键合工艺参数优化设计
《机车电传动》2023年第2期43-49,共7页胡彪 成兰仙 李振铃 戴小平 
国家自然科学基金项目(61804057)。
为了提高功率模块铜线键合性能,采用6因素5水平的正交试验方法,结合BP(Back Propagation)神经网络与遗传算法,提出了一种铜线键合工艺参数优化设计方案。首先,对选定样品进行正交试验并将结果进行极差分析,得到工艺参数对键合质量的影...
关键词：铜线键合 BP神经网络 遗传算法 工艺参数优化 
界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响
《半导体技术》2023年第4期294-300,323,共8页高秀秀 王勇志 胡兴豪 周维 刘洪伟 戴小平 
国家科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426582)。
为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真...
关键词：4H-SIC 双注入MOSFET(DIMOSFET) 界面陷阱 准静态电容-电压(C-V)特性 可动离子 
车用SiC半桥模块并联均流设计与试制被引量：2
《半导体技术》2022年第10期809-816,838,共9页安光昊 谭会生 戴小平 张泽 
湖南省教育厅科学研究重点资助项目(20A163)。
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响。然后,采...
关键词：SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 并联均流 寄生电感 直接覆铜(DBC)基板 封装结构 
氮钝化对SiC MOS电容栅介质可靠性的影响被引量：2
《西安电子科技大学学报》2022年第3期206-212,共7页白志强 张艺蒙 汤晓燕 宋庆文 张玉明 戴小平 高秀秀 齐放 
“功率半导体国家制造业创新中心建设”项目(2018XK2202);科学挑战专题项目(TZ2018003);陕西省重点研发项目(2018ZDL-GY01-03,2020ZDLGY03-07,2019GY-004);芜湖-西电产学研专项资金(XWYCXY-012020002)。
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺,而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关,因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为重要。利用n型和p型碳化硅MOS电容研究了不同一氧化氮钝化时间对栅氧界面附近陷阱和栅介质可靠性的影...
关键词：碳化硅 MOS电容 界面态 退火 栅介质 
SiC MOSFET功率模块的并联均流研究被引量：2
《半导体技术》2022年第6期481-487,共7页黄轶愚 谭会生 吴义伯 戴小平 
湖南省教育厅科学研究重点资助项目(20A163);长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目(N201903)。
采用多芯片并联的方法可提高SiC MOSFET功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将影响功率模块的可靠性。建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型,分别改变功率回路和驱动回路的杂散...
关键词：功率模块 封装技术 杂散电感 并联均流 源极互连 
环氧灌封胶及在IGBT功率模块封装中的应用被引量：3
《绝缘材料》2022年第4期29-34,共6页曾亮 何勇 刘亮 戴小平 
湖南省科技计划项目(2018XK2202)。
为了评估国产环氧灌封胶在绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块封装中的应用情况,选取两种国产环氧灌封胶进行了综合对比,包括对两种环氧灌封胶固化前黏度、密度和凝胶时间,固化后的基本性能、热性能、绝缘性能等的横向对比。分析两种环氧...
关键词：环氧树脂 环氧灌封胶 功率模块 IGBT 封装 
氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1
《半导体技术》2022年第3期217-221,236,共6页高秀秀 柯攀 戴小平 
湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175...
关键词：4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱 沟道迁移率 库仑散射 温度指数 TCAD仿真 
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