NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型被引量：1
《电子学报》2005年第11期2056-2058,共3页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 王顺祥 朱永刚 区健锋 俞智刚 马何平 王喜媛 
国家模拟集成电路重点实验室基金(No.51439010904DZ0101);西安电子科技大学青年科研工作站基金(No.03011#)
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分...
关键词：应变硅 调制掺杂 电子面密度 阈值电压 
脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究被引量：2
《电子学报》2002年第5期658-660,共3页刘红侠 郝跃 
国家 8 63资助项目 (No .863 SOC Y 3 6 1 )
本文研究了交流应力下的热载流子效应 ,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET′s的退化产生的影响 .在脉冲应力下 ,阈值电压和跨导的退化增强 .NMOSFET′s在热空穴注入后 ,热电子随后注入时 ,会有大的退化量 ,这可...
关键词：脉冲应力增强 NMOSFET 热载流子效应 
深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响被引量：1
《电子学报》2001年第2期160-163,共4页任红霞 郝跃 许冬岗 
国防预研基金! (No.99J8.1 .1 .DZD1 32 )
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型 ,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数 ,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等 ,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析 ,并与常规平面器件的相应特性进...
关键词：槽栅NMOSFET 热载流子效应 结构参数 场效应晶体管 
深亚微米沟道δ掺杂NMOSFET结构特性和设计
《电子学报》1997年第5期21-24,共4页刘卫东 李志坚 刘理天 余志平 
国家教委博士后基金;国家八五攻关资助
利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响；发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较高的驱动速度，改善了掺杂容限特性；只要δ掺杂峰值浓度离界面保持一定距离...
关键词：Δ掺杂 品质因子 短沟道效应 MOSFET 半导体技术 
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