导通

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车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
Buck开关电源MOSFET损耗分析
《汽车工程师》2025年第4期10-16,共7页廖波 李伟亮 赵目龙 吕佳文 杨莉 
为实现汽车集中式域控制器高性能芯片的开关电源的功率损耗计算,分析了金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通和关断过程,对Buck型开关电源的MOSFET损耗进行理论分析及公式推导,针对开关损耗部分进行了实例计算和仿真验证。结果...
关键词：开关电源 MOSFET损耗 BUCK 导通损耗 开关损耗 
GaN HEMT器件动态导通电阻的测试电路
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期317-321,339,共6页刘梦丽 李胜 马岩锋 刘斯扬 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(62204034);中国博士后科学基金资助项目(2022TQ0061)。
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的异质外延工艺导致GaN HEMT器件存在陷阱效应,造成器件在连续瞬态工作条件下的导通电阻产生动态变化(简称动态导通电阻),并高于静态条件下的理论值,对功率系统稳定性造成危害,因此需对GaN HEMT器...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs) 陷阱效应 动态导通电阻 钳位电路 
具有超低比导通电阻的双漂移区双导通路径新型横向双扩散金属氧化物半导体
《物理学报》2025年第8期221-228,共8页段宝兴 任宇壕 唐春萍 杨银堂 
本文提出了一种具有双漂移区和双导通路径的新型横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,实现了超低比导通电阻(R_(on,sp)).其漂移区采用P型和N型纵向交替所构成的双漂移区结构,并引入平面栅和槽型栅分别控制P型和N型漂移区,使得器件能...
关键词：双漂移区 双导通路径 比导通电阻 击穿电压 
风机叶片雷击及引雷导通装置在线监测的应用实践
《科学与信息化》2025年第8期139-141,共3页王文瑞 谢朋 郭亚东 
针对风电场雷击频发导致的叶片损伤、设备故障及运维成本高等问题,本研究提出基于多源感知与人工智能技术的风电机组雷电安全防护智能监测系统。通过构建涵盖叶片雷击、引雷导通装置及接地网状态的多维监测体系,实现雷电参数的实时采集...
关键词：风机雷击 雷电防护 风机叶片 风机导通 在线监测 
晶圆级导通电阻测试精度的改进技术研究
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2025年第3期163-166,共4页张亦锋 卢旭坤 周茂 
随着半导体技术的发展,对低导通电阻晶圆的精确测量需求日益增长。传统的晶圆级导通电阻测试方法存在接触电阻影响和测量精度不足的问题。因此研究提出了一种改进的4T测试技术,通过辅助管芯实现真正的四端连接,以消除接触电阻的影响,从...
关键词：晶圆级测试 导通电阻 半导体器件 测试精度 测试精度 
基于大电流饱和压降法的结温在线监测电路研究进展
《半导体技术》2025年第3期201-213,共13页陈丰野 邓二平 吴立信 郭祥彬 丁立健 
结温在线监测对功率器件的高可靠性运行至关重要。在众多测量方法中,大电流饱和压降法是目前应用最广泛的在线结温测量方法。以理论推导为基础,阐述了大电流饱和压降法的结温计算原理,并总结了现有温度校准方法及数学模型的构建过程。接...
关键词：结温监测 IGBT模块 导通压降监测 温度校准 高压隔离 
不同接地导通电阻测试仪的校准方法研究
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2025年第3期170-173,共4页刘静 
本研究针对接地导通电阻测试仪的校准方法进行了系统比较和评估,采用了两种不同的标准器具:国产模拟交直流标准电阻器(MJZ-25)和进口多功能电气安全校准器(5320A)。在100 mΩ校准点、测量电流为25 A的条件下,通过对10次重复测量数据的...
关键词：接地 导通电阻测试仪 校准方法 
一种动态导通时间控制的单电感三输出DC-DC变换器
《舰船电子工程》2025年第2期202-208,共7页董伟华 卜刚 
论文基于buck-boost拓扑设计了一种单电感三输出DC-DC变换器。该变换器采用续流电感电流控制电感充电的占空比,比较器控制各个输出端的占空比。论文提出的动态导通时间控制方法能够在负载变化时抑制输出端占空比的突变,从而减小输出端...
关键词：单电感多输出 DC-DC变换器 纹波控制 驱动电路 
具有高K背栅的无电压回跳RC-IGBT静态特性研究
《现代电子技术》2025年第4期34-39,共6页王楠 徐勇根 胡夏融 
针对传统RC-IGBT导通压降大、击穿电压低等问题,提出一种具有高介电常数(高K)背栅的RC-IGBT器件结构,其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空穴浓度,不仅消除了电压回跳,还降低了导...
关键词：RC-IGBT 电压回跳 高介电常数 背栅 导通压降 阻断特性 
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