云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 原子层沉积

原子层沉积: 作品数：428被引量：575H指数：10; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：陈蓉夏洋覃勇卢维尔单斌更多>>; 相关机构：华中科技大学中国科学院微电子研究所朗姆研究公司中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金北京市自然科学基金更多>>

ALD法制备Li掺杂NiO_(x)作为HTL提升PSC性能: 《半导体技术》2024年第10期885-892,898,共9页罗启仁刘昌吴昊; 国家自然科学基金(11875212)。; 空穴传输层(HTL)是影响钙钛矿太阳能电池性能的主要因素之一。氧化镍(NiO_(x))是广为关注的无机HTL材料。原子层沉积(ALD)法具有厚度精准控制、台阶覆盖性好、薄膜质量高等优势,采用ALD法制备了不同比例锂(Li)掺杂的NiO_(x)薄膜。结果显...; 关键词：原子层沉积(ALD) 氧化镍钙钛矿太阳能电池锂掺杂空穴传输层(HTL)

原子层沉积技术生长单质钨薄膜: 《半导体技术》2022年第9期699-703,共5页王浙加冯嘉恒夏洋明帅强屈芙蓉; 国家重点研发计划资助项目(2018YFF01012700);中国科学院关键技术团队项目(GJJSTD20200003)。; 采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和...; 关键词：原子层沉积(ALD) 钨电阻率多晶薄膜 Β相

沉积温度对ALD制备HfO_(2)薄膜结构和性能的影响被引量：1: 《半导体技术》2022年第3期205-210,242,共7页赵恒利杨培志李赛; 国家自然科学基金资助项目(U1802257);云南省高校科技创新团队支持计划资助项目。; 采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅片和石英玻璃衬底上制备了HfO_(2)薄膜,并对薄膜进行了表征,研究了沉积温度对HfO_(2)薄膜结构和力学、光...; 关键词：HfO_(2)薄膜原子层沉积(ALD) 沉积温度表面形貌光电性能

基于ALD技术的高性能光电探测器研究进展被引量：2: 《半导体技术》2021年第12期909-920,共12页胡鲲翟爱平冯琳石林林冀婷李国辉崔艳霞; 国家自然科学基金资助项目(61922060,61775156,61805172,61905173);山西省重点研发国际合作项目(201803D421044);山西省自然科学基金面上青年基金资助项目(201901D211115);霍英东教育基金会高等院校青年教师基金(20171402210001);山西省高等学校科技成果转化培育项目(2020CG013);吕梁市高层次科技人才引进专项项目(Rc2020207);山西省平台与基地专项(201805D131012-3)。; 采用原子层沉积(ALD)技术制备的薄膜具有致密性高、保形性高、平滑性好、缺陷密度低、厚度可精准调控等优势,被广泛应用于各类光电器件中。利用ALD技术制备的功能薄膜可以明显改善光电探测器的暗电流、探测率和线性动态范围等性能。以基...; 关键词：原子层沉积(ALD)技术光电探测器活性层钝化层界面层

微波退火对原子层沉积TiO2薄膜性能的影响: 《半导体技术》2020年第7期536-542,共7页杨德威李赛杨雯杜凯翔马春阳葛文杨培志; 国家自然科学基金资助项目(U1802257,21701140);云南省基础研究重点项目(2017FA024);云南省高校科技创新团队支持计划资助项目。; 采用原子层沉积(ALD)技术,以四氯化钛和水为前驱体,在钠钙玻璃衬底上沉积TiO2薄膜,并进行微波退火处理。通过拉曼光谱、紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)等,对不同微波退火温度下TiO2薄膜的表面形貌、物相结...; 关键词：锐钛矿型TiO2 原子层沉积(ALD) 微波退火(MWA) 表面形貌消光系数

先进硅基前驱体的应用研究与技术进展被引量：2: 《半导体技术》2020年第6期409-418,共10页常欣万烨赵雄严大洲袁振军郭树虎; 河南省科技人才研发专项资助项目(174200510014);郑洛新国家自主创新示范区创新引领型产业集群专项资助项目(181200212700)。; 前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础...; 关键词：集成电路(IC) 硅基前驱体化学气相沉积(CVD) 原子层沉积提纯工艺

热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）被引量：2: 《半导体技术》2019年第10期795-802,共8页乌李瑛柏荣旭瞿敏妮田苗沈赟靓王英程秀兰; National Ministry of Science and Technology“13thFive-Year”Key Research and Development Program Sub Project for High Performance Computing(2016YFB0200205);2018 Shanghai Public R&D Service Center Construction Project(18DZ2295400); 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA...; 关键词：二氧化铪(HfO2) 原子层沉积(ALD) 热原子层沉积(TALD) 等离子增强原子层沉积(PEALD) 介电常数

三维硅基电容器W薄膜电极特性及影响被引量：1: 《半导体技术》2018年第10期771-776,共6页穆继亮耿文平何剑丑修建; 国家自然科学基金资助项目(61471326); 设计了一种三维（3D）硅基电容器,采用原子层沉积（ALD）技术制备了钨（W）薄膜电极。通过X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和电学分析仪对薄膜进行表征,研究了W薄膜电学性能的影响因素和作用机制。XP...; 关键词：硅基三维(3D)电容器原子层沉积(ALD) 钨薄膜金属态

沉积功率和退火工艺对PE-ALD氧化铝薄膜的影响被引量：3: 《半导体技术》2018年第8期610-615,共6页刘媛媛杜纯曹坤陈蓉徐湘伦黄静单斌; 国家自然科学基金资助项目(517020510,51575217,51572097);中国博士后科学基金资助项目(2017M12451);ALD技术封装薄膜开发项目; Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率...; 关键词：等离子增强原子层沉积(PE-ALD) AL2O3薄膜沉积功率退火工艺有机发光二极管(OLED)

3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能: 《半导体技术》2018年第7期517-522,共6页穆继亮徐方良孙雅薇李芬丑修建; 国家自然科学基金资助项目(61471326); 为提高电容器的比电容,设计了基于三维（3D）结构的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。采用原子层沉积（ALD）技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟合得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系...; 关键词：原子层沉积(ALD) 三维结构金属-绝缘体-金属(MIM)电容器微电子机械系统(MEMS) 电学性能

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