势垒

作品数：1290被引量：1701H指数：12
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JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究被引量：1
《微电子学》2021年第6期918-922,共5页姜玉德 周慧芳 赵琳娜 甘新慧 顾晓峰 计建新 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510)。
研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性。首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响。对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管。测试结果表明,器件的正向电压为1.52 V,特征导通...
关键词：SiC结势垒肖特基二极管 JTE终端结构 击穿电压 高温反偏 
一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构
《微电子学》2021年第1期116-120,共5页高闻浩 孙启明 冉晴月 简鹏 陈文锁 
模拟集成电路国家重点实验室基金项目(6142802200510);中央高校基本科研业务费项目(2020CDJ-LHZZ-076,2019CDXYDQ0009);重庆市自然科学基金资助项目(cstc2020jcyj-msxmX0272)。
提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证。与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬底上方引入隐埋缓冲掺杂层,将反向击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到肖特基势垒区域,提升了反向静...
关键词：肖特基势垒二极管 击穿电压 漏电流 正向导通压降 
势垒材料对GaN基异质结电学特性的影响研究
《微电子学》2019年第3期404-407,412,共5页任舰 苏丽娜 李文佳 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007,17KJB535001)
基于势垒材料分别为Al0.27Ga0.73N和In0.17Al0.83N的GaN基异质结肖特基二极管(SBD),研究了GaN基异质结的漏电流输运机制、二维电子气密度和反向击穿电压等重要电学特性。结果表明,AlGaN/GaN SBD的反向电流主要由Frenkel-Poole(FP)发射...
关键词：ALGAN/GAN InAlN/GaN 电学特性 肖特基二极管 
基于肖特基势垒二极管整流的功率指示计设计被引量：1
《微电子学》2015年第4期484-487,共4页李琰 肖知明 俞航 刘少华 Amara AMARA 
国家自然科学基金资助项目(U1201256;61201042);广东省自然科学基金资助项目(S2012010010255)
设计了一种适用于低中频接收机的功率指示计。采用肖特基势垒二极管作为整流器件,降低了电路设计的复杂度,减小了系统功耗;功率指示计中的限幅放大器采用交流耦合的方式,消除了输入直流失调的影响,降低了设计难度。电路基于0.18μm CMO...
关键词：限幅放大器 功率指示计 肖特基势垒二极管 整流器 
Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析
《微电子学》2014年第2期245-248,201,共5页蒋葳 刘云飞 尹海洲 
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅...
关键词：镍硅化物 肖特基接触 势垒高度 界面态 
4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计
《微电子学》2014年第2期249-252,共4页苗志坤 陈光 左国辉 
室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压...
关键词：肖特基二极管 导通压降 击穿电压 反向漏电流 
Ti／4H-SiCSBD中子辐照效应的研究被引量：1
《微电子学》2013年第5期723-726,共4页邱彦章 张林 
陕西省自然科学基金资助项目(2013JQ7028)
采用1MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应。实验的最高中子剂量为1×l015n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33kGy(Si)。经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化;剂量...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 中子辐照 
注入势垒单相埋沟高速CCD延迟线设计
《微电子学》2011年第3期420-423,432,共5页杨亚生 
采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态范围。器件电极设计为准1相两层多晶硅交迭栅结构,信道设计为埋沟结构。输入结构采用双输入栅表面势平衡...
关键词：势垒 埋沟CCD 延迟线 
4H-SiC双层浮结肖特基势垒二极管温度特性研究被引量：2
《微电子学》2011年第1期146-149,共4页南雅公 张志荣 周佐 
教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室开放基金资助项目
为了增强器件高温条件下的适应性,对4H-SiC双层浮结肖特基势垒功率二极管的温度特性进行了研究。结果表明,当温度变化时,器件的阻断电压、通态电阻、反向漏电流及开关时间等电学性质均要发生一定的变化。作为一种基于浮结技术的SiC新器...
关键词：4H-SIC 双层浮结 肖特基势垒二极管 
新型金属源/漏工程新进展
《微电子学》2008年第4期524-529,共6页尚海平 徐秋霞 
当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后,金属源/漏(S/D)结构具有一系列的优点:原子级突变结能够抑制短沟道效应(SCE),低S/D串联电阻和接触电阻,S/D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料,使之成为掺杂硅S/D结构最有...
关键词：MOSFET 短沟道效应 金属源/漏 金属硅化物 肖特基势垒调节 肖特基势垒源/漏 
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