碳化硅肖特基二极管

作品数：27被引量：16H指数：2
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新日本无线推出小型化碳化硅肖特基二极管
《中国电子商情》2021年第4期50-50,共1页RC 
近期,新日本无线(JRC)研制出小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管NJDCD010A065AA3PS,并开始提供样片。如今,为了实现可持续发展和繁荣的社会,在能源领域十分要求效率。JRC为实现这一目标正在开发新的产品群,进而推进下一...
关键词：肖特基二极管 碳化硅材料 快速恢复二极管 最小尺寸 散热性 电力设备 小型化 低损耗 
低导通压降和低反向漏电流碳化硅肖特基二极管的研究被引量：1
《集成电路应用》2021年第2期1-3,共3页季益静 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1600227)。
提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器...
关键词：碳化硅肖特基二极管 Silvaco 势垒高度 双层外延 沟槽 
三菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管
《变频器世界》2019年第4期41-41,共1页
早在20世纪90年代,三菱电机便开始了对碳化硅材料的研究。自2010年起,三菱电机陆续推出了搭载SiC-SBD[2]、SiC-MOSFET[6]的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小...
关键词：肖特基二极管 碳化硅材料 三菱电机 太阳能发电系统 工业机械 半导体模块 铁路车辆 株式会社 
Littelfuse将于2019年APEC大会上推出650V碳化硅肖特基二极管该二极管提供新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流
《半导体信息》2019年第2期5-6,共2页
Littelfuse,Inc.近日宣布推出两款二极管,进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。相比传统的硅基器件,两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势,包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及...
关键词：碳化硅肖特基二极管 Littelfuse 额定电流 
三菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管
《半导体信息》2019年第2期6-6,共1页
近日,三菱电机株式会社发布了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。
关键词：碳化硅肖特基二极管 三菱电机 提高可靠性 
Littelfuse新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管
《半导体信息》2017年第3期22-23,共2页
Littelfuse，Inc．，推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SIC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动（PCIM）展的开幕。这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与MonolithSemiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。其...
关键词：肖特基二极管 平台开发 碳化硅 硅产品 技术平台 硅二极管 INC 晶体管 
3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制被引量：1
《半导体技术》2017年第3期190-193,214,共5页王永维 王敬轩 刘忠山 闫伟 王勇 党冀萍 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,...
关键词：4H-SIC 肖特基势垒二极管 混合功率模块 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 多重场限环 
塑封碳化硅肖特基二极管粘片工艺被引量：1
《电子技术与软件工程》2016年第24期106-107,共2页张宝财 崔同 赵杰 李东华 
粘片工艺是塑封碳化硅肖特基二极管封装中的关键工艺,实现了芯片背面金属与引线框架的物理连接与电连接,对器件的参数以及可靠性影响较大。我们发现器件生产中或者器件可靠性的多种失效模式都产生于粘片工艺。我们通过对焊料成分、拍锡...
关键词：粘片 焊料 拍锡头 焊料空洞率 焊料热疲劳 芯片背裂 
1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第3期183-186,共4页汪玲 黄润华 刘奥 陈刚 柏松 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401)
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正...
关键词：4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环 
英飞凌推出第五代1200 V thinQ!^(TM)碳化硅肖特基二极管
《半导体技术》2014年第8期615-615,共1页
2014年6月英飞凌科技股份公司推出第五代1 200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管。在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,且散热性能良好。该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电...
关键词：肖特基二极管 第五代 碳化硅 工作温度范围 不间断电源 股份公司 正向电压 承受能力 
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