电流崩塌

作品数：70被引量：88H指数：4
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基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应被引量：2
《物理学报》2019年第24期347-353,共7页刘静 王琳倩 黄忠孝 
陕西省重点研发计划(批准号:2019GY-060)资助的课题~~
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌效应 缓冲层陷阱 
阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMTs器件实验研究
《物理学报》2015年第23期255-261,共7页袁嵩 段宝兴 袁小宁 马建冲 李春来 曹震 郭海军 杨银堂 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900;2015CB351906);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006;61334002)资助的课题~~
本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,有...
关键词：ALGAN/GAN 表面电场 击穿电压 电流崩塌 
新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究被引量：3
《物理学报》2012年第20期441-446,共6页余晨辉 罗向东 周文政 罗庆洲 刘培生 
国家自然科学基金(批准号:11104150;60906045);江苏省自然科学基金(批准号:BK2010571)资助的课题~~
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不...
关键词：双异质结高电子迁移率晶体管 电流崩塌 热电子效应 自加热效应 
场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究被引量：4
《物理学报》2011年第1期586-591,共6页毛维 杨翠 郝跃 张进成 刘红侠 马晓华 王冲 张金风 杨林安 许晟瑞 毕志伟 周洲 杨凌 王昊 
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925002);国家自然科学基金(批准号:60976068,60936005);国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)资助的课题~~
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制...
关键词：电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率 
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3
《物理学报》2008年第11期7238-7243,共6页席光义 任凡 郝智彪 汪莱 李洪涛 江洋 赵维 韩彦军 罗毅 
国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 电流崩塌 坑状缺陷 位错缺陷 
用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究被引量：5
《物理学报》2008年第4期2450-2455,共6页李若凡 杨瑞霞 武一宾 张志国 许娜颖 马永强 
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030402);天津市自然科学基金(批准号:07JCZDJC06100)资助的课题~~
通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 Poisson-Schrodinger方程 逆压电极化模型 电流崩塌 
场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理被引量：9
《物理学报》2008年第1期467-471,共5页魏巍 林若兵 冯倩 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020301;2002CB311904)资助的课题~~
在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着漏偏压的升高而显著下降;在高漏偏压下,场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响,而合适尺寸的场板结...
关键词：A1GaN GAN HEMT 场板 电流崩塌 
GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系被引量：3
《物理学报》2007年第5期2900-2904,共5页郭亮良 冯倩 马香柏 郝跃 刘杰 
国家重大基础研究发展计划(973)(批准号:51327020301;2002CB311904);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题~~
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,...
关键词：GAN 场板 击穿电压 电流崩塌 
AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型被引量：6
《物理学报》2006年第7期3622-3628,共7页郝跃 韩新伟 张进城 张金凤 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2002CB3119;513270407);国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102;51432030204DZ0101)资助的课题.~~
通过对AlGaN/GaNHEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaNHEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 直流扫描 电流崩塌 模型 
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