淀积

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真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2006年第3期33-36,共1页
0605851 PAMOCVD法制备BON和多层TiN/BON薄膜的结构与特性=Structures and properties of BON and multi- layered TiN/BON thin films prepared by PAMOCVD method[刊,英]/D．-C．Lim,G．C．Chen//Electronics Letters．-2003,163(30)...
关键词：真空蒸发 减压蒸发 金属化 淀积 溅射 真空沉积 
真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2006年第2期33-36,共4页
0603425 塑料真空金属化预处理方法研究=Study of pretreatment methods for vacuum metallization of plastics[刊, 英]／K．De Bruyn,M．Van Stappen／／Electronics Letters．-2003,163．-710-715(E)
关键词：化学汽相沉积 真空蒸发 减压蒸发 金属化 涂复 磁控溅射沉积 溅射 真空沉积 淀积 
通用工艺与设备
《电子科技文摘》2005年第11期27-33,共7页
关键词：通用工艺 纳米压印 微细加工技术 刻蚀技术 轮胎花纹 天津工业大学 数控工作台 电子束光刻 激光淀积 implanted 
半导体与微电子技术
《电子科技文摘》2003年第12期20-20,共1页
Y2002-63586 03277372001年IEEE纳米技术会议录=2001 1st IEEE confer—ence on nanotechnology(会,英]/IEEE Robotics and Au-tomatlon Society.—571P.本会议录收集了于2001年10月28-30日在夏威夷Maui召开的纳米技术会议上发表的104...
关键词：NANOTECHNOLOGY 会议录 confer 热氧化 栅介质 量子计算机 化学汽相淀积 复合膜 生物传感器 固体电子学 
真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2003年第12期30-30,共1页
0327878一种制备氧化钒薄膜的新工艺[刊,中]/王宏臣//半导体光电.—2003,24(4).—280-282(D2)0327879溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究[刊,中]/吴桂芳//真空电子技术.—2003,(3).—35-38(E)
关键词：金属化 真空蒸发 淀积 应力关系 真空电子技术 半导体光电 氧化钒 薄膜结构 吴桂芳 溶胶一凝胶 
电子工艺
《电子科技文摘》2003年第8期26-27,共2页
Y2002-63392-221 0316916考虑接地面电流预计算的平面封装电感抽取=Flatpackage inductance extraction with ground plane currentprecalculation〔会,英〕/Lippens, G. & De Zutter, D.//2001 IEEE 10th Topical Meeting on Electrica...
关键词：电子工艺 平面封装 接地面 磁控溅射 淀积 Andrews 场发射性能 TRACTION 纳米硅 PACKAGING 
真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2003年第5期29-30,共2页
0309545低能量粒子磁控溅射沉积薄膜的蒙特卡罗模拟[刊]/张德新//江汉石油学院学报.—2002,24(4).—112～114(K)提出了一个磁控溅射的低能量粒子(可以是离子或原子)加温沉积模型,特别考虑了溅射损伤和有一定能量的入射粒子对基底的加温...
关键词：淀积 金属化 真空蒸发 真空沉积 沉积薄膜 蒙特卡罗模拟 入射粒子 射频磁控溅射法 金属原子 加热作用 
真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2003年第4期25-26,共2页
Y2002-63306-307 0307243多硅片 AIX2400G3行星反应器中生长长波长 InP 基材料=InP based materials for long wavelength optoelec-tronics grown in a multiwafer AIX 2400 G3 planetary re-actor[会,英]/Schmitt,T.& Deufel,M.//2001...
关键词：淀积 金属化 真空蒸发 PLANETARY STRAINED MOCVD 金属有机化学 玻璃衬底 可见光范围 化学气相沉积 
真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2003年第1期25-25,共1页
Y2002-63234-229 0300369等离子体化学汽相淀积气体循环清洗减少全氟化物(PFC)辐射=Reduction of PFC emissions by gas circula-tion cleanjng in plastor CVD[会,英]/Nakata,R.&Kubota,H.//2001 IEEE International Symposium onSemic...
关键词：淀积 金属化 真空蒸发 气体循环 EMISSIONS 半导体光电 晶向偏离 外延层 MOCVD Reduction 
热处理与表面处理工艺
《电子科技文摘》2003年第1期27-27,共1页
Y2002-63234-259 03003940.18μm工艺中提高硅片边缘成品率和硅片平整度的氟化硅玻璃化学机械抛光新方式=Novel strategies ofFSG-CMP for within-wafer uniformity improvement andwafer edge vield enhancement beyond 0.18μm microt...
关键词：表面处理工艺 化学机械抛光 氟化硅 WAFER 平整度 UNIFORMITY 化学汽相淀积 信息与管理 淬火介质 工程版 
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