总剂量效应

作品数：278被引量：571H指数：10
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郭红霞何宝平郭旗姚志斌崔江维更多>>
相关机构：西北核技术研究所中国科学院大学西安电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家科技重大专项中国科学院西部之光基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=核技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
沟槽型MOSFET放大器γ射线辐照效应研究
《核技术》2024年第11期73-80,共8页唐军 农淑英 罗玉文 张巍 杨廷贵 
中核集团"青年英才"项目和甘肃省青年科技基金(No.23JRRA1359)资助。
研发高抗辐照性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)放大器等电子器件对于核环境作业机器人至关重要。用^(60)Co-γ射线对三个商用沟槽型MOSFET放大器进行了原位辐照测试,研...
关键词：MOSFET放大器 Γ辐照 总剂量效应 电学性能 失效分析 
不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究
《核技术》2023年第11期55-63,共9页邱一武 郭风岐 殷亚楠 张平威 周昕杰 
氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注,为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件开展不同偏置(开态、...
关键词：增强型AlGaN/GaN HEMT器件 总剂量效应 偏置条件 电学性能 退火恢复 
可扩展式微处理器总剂量效应在线测试系统研制被引量：3
《核技术》2022年第11期60-67,共8页陈法国 于伟跃 梁润成 郑智睿 郭荣 
中核集团青年英才计划项目(No.CNNC20010701);抗辐照应用技术创新中心项目(No.KFZC2020020302)资助。
针对功能丰富、大规模集成微处理器总剂量效应的测试需要,研制了一种可扩展式的在线测试系统。测试系统由主控制电路、可扩展信号采集电路、被测样品接口、上位机及配套软件组成,提供了功耗电流、片内存储、通信、时钟、模数/数模转换...
关键词：总剂量效应 在线测试 微处理器 参数退化 功能失效 
180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析被引量：3
《核技术》2021年第3期61-66,共6页刘一宁 杨亚鹏 陈法国 张建岗 郭荣 梁润成 
针对特征工艺尺寸为180 nm的互补金属氧化物半导体微处理器进行了^(60)Co在线电离辐照实验,找出了片内对辐照效应敏感的外设,分析了其对总剂量效应敏感的原因,详细介绍了处理电离辐照实验数据的方法。对比了片内闪存存储器、定时器、通...
关键词：CMOS微处理器 总剂量效应 在线实验 概率分布 
非易失性阻变存储器总剂量效应试验研究被引量：2
《核技术》2020年第12期65-71,共7页常思远 杨生胜 文轩 安恒 王鷁 曹洲 银鸿 
空间环境材料行为及评价技术国防科技重点实验室资助。
存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分,在航天应用中需要有良好的抗辐射能力。阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是一种新型的非易失性半导体存储器,性能优良,但对其辐射效应的研究较少。本文侧重于在理论分析的基...
关键词：阻变存储器 总剂量效应 理论分析 辐照试验 失效机理 
180 nm CMOS微处理器辐照损伤剂量的实验研究被引量：1
《核技术》2019年第11期57-62,共6页陈法国 郭荣 李国栋 梁润成 韩毅 杨明明 
国家科技重大专项(No.2017ZX06906010)资助~~
以180 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)工艺制造的STM32微处理器为实验对象,设计了由被测最小系统电路、剂量计、通讯电路和上位机组成的总剂量效应实验条件。利用60Co源分别在63.3 Gy(Si)·h^-...
关键词：总剂量效应 辐照损伤剂量 STM32 微处理器 在线实验 离线实验 
星载数模转换器抗辐射性能评估测量系统研制被引量：4
《核技术》2016年第11期34-42,共9页刘小敏 姜慧强 王志宇 刘童 陈华 王立平 郁发新 
国家自然科学基金(No.61401395;No.61604128);中央高校基本科研业务费专项(No.2016QNA4025;No.2016QN81002);浙江省教育厅科研项目(No.Y201533913)资助~~
基于面向仪器系统的外围组件互连扩展(Peripheral Component Interconnection extensions for Instrumentation,PXI)平台,提出并实现了一个高精度、高速、全自动星载数模转换器抗辐照性能评估测量系统。该系统采用开尔文四线法和均值滤...
关键词：数模转换器 总剂量效应 单粒子效应 LABVIEW 
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响被引量：2
《核技术》2015年第6期36-42,共7页刘默寒 陆妩 马武英 王信 郭旗 何承发 姜柯 
本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 偏置条件 退火 
不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应
《核技术》2012年第8期601-605,共5页卢健 余学峰 李明 张乐情 崔江维 郑齐文 胥佳灵 
通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影...
关键词：静态随机存储器 总剂量效应 不同偏置条件 辐射损伤 印记现象 
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究被引量：2
《核技术》2011年第6期452-456,共5页李明 余学峰 卢健 高博 崔江维 周东 许发月 席善斌 王飞 
通过对PDSOI CMOS静态随机存储器(SRAM)在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度(25oC和100oC)条件的退火行为进行研究,探讨了SOI工艺SRAM的总剂量辐射损伤机制及辐照环境中功耗电流变...
关键词：PDSOI SRAM 总剂量效应 功耗电流 退火效应 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部