总剂量效应

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增强型p⁃GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究
《固体电子学研究与进展》2024年第3期201-205,共5页胡壮壮 王登贵 李雪 周建军 孔月婵 陈堂胜 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218)。
为研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究了器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率...
关键词：p⁃GaN栅HEMT器件 总剂量效应 单粒子效应 
硅基N沟道VDMOS不同偏置下总剂量效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第5期450-455,共6页李潇 崔江维 郑齐文 李鹏伟 崔旭 李豫东 郭旗 
中国科学院西部之光项目(2019-XBQNXZ-A-003);中国科学院青年创新促进会项目(2020430);国家自然科学基金资助项目(12275352)。
通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 ...
关键词：总剂量效应 N沟道VDMOS 偏置效应 电学特性 低频噪声特性 
浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究
《固体电子学研究与进展》2023年第3期281-286,共6页任李贤 孙静 何承发 荀明珠 
国家自然科学基金面上项目(11975305);中国科学院西部青年学者项目(2021-XBQNXZ-020);特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(21kftk03)。
对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明...
关键词：浮栅晶体管 总剂量效应 陷阱电荷分离 辐照响应分析 
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
《固体电子学研究与进展》2023年第2期136-146,共11页林罡 
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可...
关键词：氮化镓 SiC衬底GaN器件 微波功率器件 可靠性 失效机理 高温加速寿命试验(HTOL) 总剂量效应 单粒子效应 低气压放电 宇航应用保障 
碳化硅功率MOSFET的阈值和开关响应的辐射损伤对比被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第5期412-416,共5页冯皓楠 杨圣 梁晓雯 孙静 张丹 蒲晓娟 余学峰 
国家自然科学基金面上项目(11975305)。
对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数(阈值电压)和动态参数(开关响应)的影响。实验结果表明,在经历一定时间的^(60)Coγ射线辐照过...
关键词：碳化硅 总剂量效应 静态参数 动态特性 
TPS61322集成式升压DC-DC电源变换器的总剂量效应研究
《固体电子学研究与进展》2022年第5期422-428,共7页徐锐 周东 刘炳凯 李豫东 王信 刘海涛 文林 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(61704190);中国科学院青年创新促进会资助项目(20211437)。
对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出电压随总剂量的变化关系;揭示了升压型器件在高剂量率条件下输出电压瞬间损伤退化机理;分析了器件在关机模...
关键词：总剂量效应 Boost电源变换器 输出电压 负载电流损伤机理 高剂量率损伤效应 
基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟
《固体电子学研究与进展》2022年第3期177-183,共7页陕宇皓 刘延飞 郑浩 彭征 
国家自然科学基金资助项目(61834004,61701505)。
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体...
关键词：NPN双极型晶体管 三维模型 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 仿真模拟 
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第5期384-388,共5页王保顺 崔江维 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11605282,11505282,11805268);中国科学青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)。
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器...
关键词：鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应 
SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第1期70-74,共5页许灵达 罗杰馨 陈静 何伟伟 吴伟 
国家自然科学基金资助项目(61404151);国家自然科学基金资助项目(61574153)
针对绝缘体上硅(SOI)NMOS侧壁晶体管的电流特性研究,利用Verilog-A语言建立了一个含有漏致势垒降低(DIBL)效应的侧壁晶体管电流模型。进一步基于SOI NMOS总剂量辐射效应机理将总剂量辐射效应引入该模型。新建立的侧壁晶体管电流模型既...
关键词：绝缘体上硅 侧壁晶体管 VERILOG-A 总剂量效应 电流模型 
三栅FET的总剂量辐射效应研究
《固体电子学研究与进展》2013年第2期119-123,共5页刘诗尧 贺威 曹建明 黄思文 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11109052);深圳市基础研究计划资助项目(JC201005280565A);深圳市基础研究计划资助项目(JC201005280558A)
通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅...
关键词：绝缘体上硅 总剂量效应 赝金属氧化物半导体场效应晶体管 三栅场效应晶体管 
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