芯片封装

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倒装芯片封装中多层铜互连结构的界面分层
《半导体技术》2023年第3期255-261,267,共8页黄慧霞 张立文 杨贺 杨陈 曹磊 李团飞 
河南省重点研发与推广专项(科技攻关)项目(222102210207);河南省高等学校重点科研项目(20B510006)。
芯片封装过程中,较高的机械热应力易导致多层铜互连结构发生分层甚至断裂失效。运用三级子模型技术建立了倒装芯片10层铜互连结构的有限元分析模型,通过计算不同界面裂纹尖端能量释放率对多层铜互连结构的界面分层展开研究。结果表明:...
关键词：铜互连结构 子模型技术 界面分层 能量释放率 介电材料 
超大尺寸芯片封装内应力的改善被引量：3
《半导体技术》2022年第6期498-502,共5页侯耀伟 王喆 乔志壮 杜勿默 周扬帆 
为改善超大尺寸芯片封装的内应力,研究了使用导电胶粘接的超大尺寸芯片的陶瓷封装结构,建立了简化的结构模型。模型从上到下依次为硅芯片、导电胶和陶瓷基板三层结构。利用有限元分析方法,研究了导电胶的粘接层厚度、弹性模量、热膨胀...
关键词：芯片封装 内应力 贴片工艺 固化温度 弹性模量 
电力高端控制芯片封装协同设计、仿真与验证被引量：3
《半导体技术》2021年第10期795-800,共6页白利娟 郑奇 何慧敏 李德健 关媛 韩顺枫 曹立强 
国家电网有限公司总部科技项目(5700-201941501A-0-0-00)。
芯片封装作为芯片协同设计的核心,与芯片设计端协同设计芯片布局和管脚分布,与印制电路板(PCB)设计端协同设计球栅阵列(BGA)焊球布局,并完成封装设计、优化与验证。时序仿真以I/O数据传输速率最高的双倍数据速率(DDR)同步动态随机存储器...
关键词：电力高端控制芯片 协同设计 信号完整性 电源完整性 热分析 
40 nm工艺芯片中低k介质剪切失效分析被引量：3
《半导体技术》2018年第9期708-713,共6页杨辰 王珺 王磊 余可航 
国家自然科学基金资助项目(61774044);国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315005);新型显示技术及应用集成教育部重点实验室(上海大学)基金资助项目
90 nm节点及以下的芯片在回流组装中,材料热失配引起的凸点剪切易导致低介电常数（k）布线介质层中发生断裂失效,即芯片封装交互影响问题。通过单个凸点的剪切试验,结合凸点下方的布线层失效分析,评估芯片布线层可靠性;并采用有限元分...
关键词：芯片封装交互影响 有限元分析 子模型 剪切实验 能量释放率(ERR) 
基于表面能理论的倒装芯片封装下填充流动研究被引量：3
《半导体技术》2018年第1期70-74,共5页杨家辉 姚兴军 章文俊 方俊杰 
上海市自然科学基金资助项目(15ZR1409300)
为了预测倒装芯片封装中的下填充过程,通常要首先通过繁复的方法来求解平均毛细压。为了避免此问题,从能量的角度分析了倒装芯片封装工艺中的下填充流动过程。认为下填充是较低表面能的界面代替较高表面能的界面的过程,所释放的表面能...
关键词：倒装芯片 下填充 表面能 能量守恒 封装 
45nm芯片铜互连结构低k介质层热应力分析被引量：3
《半导体技术》2017年第1期55-60,共6页林琳 王珺 王磊 张文奇 
国家科技重大专项资助项目(2014ZX02501)
采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题。采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 n...
关键词：芯片封装交互作用(CPI) 有限元分析 低介电常数介质 子模型 热机械应力 45 nm芯片 
自检测LED模组设计及可靠性试验分析
《半导体技术》2014年第10期784-788,共5页孙云龙 吴大军 杨玉东 
国家科技部星火计划资助项目(2012GA690365);高校"青蓝工程"科技创新团队培养对象(苏教师[2012]39号);江苏省科技型企业技术创新基金资助项目(BC2011160);淮安市农业科技支撑计划资助项目(SN12050);淮安信息职业技术学院青年基金资助项目(HXYQ2013003)
阐述了多芯板上芯片（CoB）封装结构,构建了多芯片LED封装模型,将88颗单电极小功率LED芯片直接封装在直径为65 mm的圆形镀铝陶瓷基板上,研制成了一种基于CoB封装技术的自检测LED模组,并使用高低温实验箱对11组样品进行了可靠性试验。高...
关键词：LED 多芯片封装 板上芯片(CoB) 自检测 可靠性 
倒装芯片封装中下填充流场渗透率的数值分析被引量：2
《半导体技术》2013年第9期691-696,701,共7页姚兴军 周鑫延 王正东 章文俊 
倒装芯片封装中的下填充流场可以假设为多孔介质流场,其渗透率的求解对研究下填充流动过程至关重要。根据下填充流场所具有的周期性结构,通过单胞数值模拟的方法得到了下填充流场的渗透率。通过对渗透率数据的分析,发现了渗透率和下填...
关键词：倒装芯片 下填充 渗透率 数值模拟 幂律模型 
倒装芯片封装中非牛顿流体下填充的数值仿真被引量：3
《半导体技术》2013年第1期69-73,78,共6页姚兴军 张关华 王正东 章文俊 周鑫延 
倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用。含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性。利用Fluent软件对具有非牛顿流体特性胶料的下填充过程进行...
关键词：倒装芯片 下填充 非牛顿流体 流体体积比函数 连续表面张力模型 
源科rSSD^(TM)真容值得期待
《半导体技术》2011年第11期884-884,共1页
源科rSSD^TM是源科运用其先进的SSD系统集成技术，凭借在该领域丰富的经验设计开发的MCP系列产品。该产品具有高性能，是完全集成的嵌入式SSD。rSSD^TM系列产品使用了多芯片封装（MCP）等创新性技术，提供惊人的SSD功能，是世界级的极...
关键词：系统集成技术 产品使用 多芯片封装 SSD CP系列 经验设计 嵌入式 全集成 
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