漏电流

作品数：1198被引量：2168H指数：19
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工业级芯片热管理与漏电流阈值设定技术
《半导体技术》2024年第10期940-945,共6页李博夫 段士华 韩顺枫 李大猛 杨宝斌 张娜 李德建 
国家电网有限公司总部管理科技项目(5700-202341842A-4-4-ZX)。
工业级芯片因为高温应用环境的需求,对芯片封装的热管理提出了更高的要求。芯片的漏电流随温度的升高而呈指数级增大的特点,导致高温静态功耗成为影响芯片结温的关键因素,因此有必要在优化动态功耗的基础上,进一步管控静态功耗。基于不...
关键词：结温 静态功耗 漏电流 热管理 热电耦合 
屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间的漏电流优化
《半导体技术》2023年第12期1092-1096,共5页余长敏 罗志永 刘宇 
对于功率MOSFET,在较大的外加电压下能否获得更小的源-漏极间漏电流是评价器件性能的重要指标之一。针对击穿电压150 V的屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间漏电流过大的问题,提出了两种有效的优化方法,包括降低接触孔离子注入后快速退火温度及...
关键词：漏电流 击穿电压 接触孔 黏合层 离子注入 
特殊离子注入工艺对集成电路漏电流的影响及优化被引量：2
《半导体技术》2023年第12期1097-1102,共6页姚兆辉 李德建 关媛 李博夫 李大猛 杨宝斌 
集成电路(IC)芯片的漏电流是制约芯片功耗、性能和寿命的主要因素之一。由于芯片制造工艺的复杂性,经常出现晶圆边缘与中心区域芯片漏电流分布不均,不同晶圆之间芯片漏电流差异较大的现象。为了解决这些问题,通过对芯片漏电流与电性参...
关键词：漏电流 成品率 集成电路(IC) 栅极刻蚀 离子注入 
氟硅凝胶对陶瓷封装隔离器漏电流的影响
《半导体技术》2023年第5期448-452,共5页高成 李凯 黄姣英 刘宇盟 
陶瓷封装隔离器具有高可靠性,灌胶可加强其绝缘性能,但还需要考虑灌胶对隔离器漏电流的影响。以GL3200C型陶瓷封装隔离器为研究对象,研究了氟硅凝胶通过内部水汽对陶瓷封装隔离器漏电流的影响,对隔离器在不同温度下进行稳定性烘焙10 h...
关键词：氟硅凝胶 陶瓷封装隔离器 漏电流 内部水汽含量 腐蚀 
一种开关电容带隙基准电压源
《半导体技术》2022年第11期879-885,共7页祝少良 李文昌 张铁良 赵进才 刘剑 尹韬 
国家自然科学基金资助项目(61974146)。
设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性...
关键词：带隙基准电压源 温度系数 线性调整率 开关漏电流 虚拟管 
非易失性静态随机存储器研究进展
《半导体技术》2022年第1期1-8,18,共9页冯平 尹家宇 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 
国家自然科学基金资助项目(61704143);福建省自然科学基金面上项目(2020J01295);厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074)。
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在...
关键词：非易失性 静态随机存储器(SRAM) 恢复率 漏电流 功耗 
SiC MOSFET栅极电参数退化机理及耦合关系
《半导体技术》2022年第1期9-18,共10页孟鹤立 邓二平 常桂钦 黄永章 
国家自然科学基金资助项目(52007061)。
栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用。为此,搭建了能够同时监测阈值电压和栅极漏电流的高温栅偏(HTGB)试验平台。研究了HTGB下阈值电压和漏电流的退化趋势和影...
关键词：均流特性 阈值电压 漏电流 SiC MOSFET 高温栅偏(HTGB)试验 
三维阻变存储器的研究进展
《半导体技术》2020年第3期179-187,194,共10页高代法 王晓荃 王悦 尹家宇 陈铖颖 
国家自然科学基金资助项目(61704143);福建省自然科学基金面上项目(2018J01566);福建省中青年教师教育科研项目(JAT170428);厦门理工学院高层次人才项目(YKJ17019R)。
在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRA...
关键词：三维阻变存储器(3D-RRAM) 漏电流 热串扰 均一性 可靠性 
基于T861测试系统的皮安级漏电流测试方法被引量：6
《半导体技术》2018年第11期876-880,共5页韩先虎 张凯虹 王建超 郭晓宇 
目前模拟开关的漏电流已达到皮安级,而传统的模拟集成电路测试系统的最小测量精度一般为纳安级,无法满足测试要求。研究了基于宏邦T861数模混合集成电路测试系统的皮安级漏电流测试方法。以ADG436型模拟开关电路为例,利用I-V转换方法设...
关键词：模拟开关 I-V转换 T861 漏电流 ADG436 
1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1
《半导体技术》2018年第4期266-273,共8页汤益丹 李诚瞻 史晶晶 白云 董升旭 彭朝阳 王弋宇 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提...
关键词：SiC结势垒肖特基(JBS)二极管 高温 大电流密度 反向漏电流 可靠性试验 
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