单量子阱激光器

作品数:38被引量:32H指数:3
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相关作者:李欣陈建平阎敏辉张励赵英杰更多>>
相关机构:中国科学院长春理工大学上海交通大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
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808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1793-1797,共5页张永明 钟景昌 路国光 秦莉 赵英杰 郝永芹 姜晓光 
采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性.实验表明,激射波长的漂移系...
关键词:单量子阱激光器 808nm INGAASP 温度特性 
LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器被引量:2
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1557-1560,共4页李忠辉 王向武 杨进华 张兴德 
介绍了无铝激光器的优点 ,利用 L P- MOVPE生长出宽波导有源区无铝 SCH- SQW结构激光器 .该结构采用宽带隙 In Ga Al P作限制层 ,加宽的 In Ga P作波导层 ,增加对载流子和光子的限制作用 ,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子...
关键词:金属有机化合物气相外延 宽波导 无铝激光器 单量子阱激光器 
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量:1
《Journal of Semiconductors》1997年第5期391-394,共4页朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍 
国家"863"计划的支持
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性.激光器的室温连续输出功率达到2W.在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平.器件的特征温度高达185K(35~85℃)及163K(85~95℃).同室...
关键词:单量子阱 激光器 材料生长 
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量:2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期392-395,共4页郑联喜 肖智博 韩勤 金才政 周帆 马朝华 胡雄伟 
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光...
关键词:单量子阱激光器 激光器 MOCVD 
低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器被引量:2
《Journal of Semiconductors》1995年第8期598-602,共5页徐遵图 杨国文 肖建伟 徐俊英 张敬明 郑婉华 瞿伟 陈良惠 毕可奎 
本文报道了脊形波导结构GaAs/AlGaAs量子阱激光器的研究成果.我们采用湿法化学腐蚀方法,通过对器件结构参数的优化,制备了性能优越的脊形波导GaAs/AlGaAs量子阱激光器,器件的阈值电流低于10mA,最低值为...
关键词:量子进激光器 背形波导 砷化镓 ALGAAS 
硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器被引量:1
《Journal of Semiconductors》1989年第12期960-964,共5页庄婉如 石志文 杨培生 梅野正義 神保孝志 曾我哲夫 
国家自然科学基金
采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效...
关键词:半导体 激光器 光电集成 量子阱  
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