喇曼散射

作品数：465被引量：787H指数：11
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不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1012-1015,共4页张冠杰 徐波 陈涌海 姚江宏 林耀望 舒永春 皮彪 邢晓东 刘如彬 舒强 王占国 许京军 
国家自然科学基金(批准号:60476042);天津市应用基础研究(批准号:06YFJZJC01100)资助项目~~
利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs...
关键词：量子点 喇曼散射 应变效应 限制效应 
GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱
《Journal of Semiconductors》2003年第7期714-717,共4页高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 Mascarenhas A 辛火平 杜武青 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 2 );福建省自然科学基金 (批准号 :A0 110 0 0 7)资助项目~~
在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒 TO(Γ )模以及 N的局域模 (495 cm- 3) .在 N组分较高的一组样品 (x=1.3%～ 3.1% )中 ,还观察到了位...
关键词：GaPl-xNx 喇曼散射 混晶 
Cd1-xZnxTe合金的退火研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第8期992-995,共4页魏彦锋 方维政 刘从峰 杨建荣 何力 王福建 王兴军 黄大鸣 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6942 5 0 0 2 )
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ...
关键词：CDZNTE 红外透射谱 喇曼散射 退火 
生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究
《Journal of Semiconductors》1998年第11期865-870,共6页李国华 韩和相 丁琨 汪兆平 段树坤 
国家自然科学基金
在室温下测量了用ＭＯＶＰＥ方法生长在尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）衬底上的ＧａＮ外延层的一阶喇曼光谱．应用各种背散射和９０°散射配置，测得了除低频Ｅ２模外所有ＧａＮ的喇曼活性光学声子模．并且在Ｘ（Ｚ，Ｘ）Ｚ和Ｘ（Ｙ，Ｙ）Ｚ...
关键词：氮化镓 外延生长 喇曼散射 尖晶石衬底 
半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第7期503-509,共7页胡绪洲 杨爱明 胡晓春 
ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷是由ＺｒＯ２、ＳｉＯ２和Ｈ３ＰＯ４用高温固相反应制成．它的傅里叶红外吸收谱是由ＺｒＯ２和ＳｉＯ２的标准谱叠加而成．根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量．这些声子按...
关键词：半导体陶瓷 红外吸收谱 喇曼散射 
CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析
《Journal of Semiconductors》1993年第9期534-539,共6页劳浦东 姚文华 李杰 袁诗鑫 
国家自然科学基金
本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改善。...
关键词：CDTE-ZNTE 超晶格 喇曼散射 结构 
(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
《Journal of Semiconductors》1993年第4期199-207,共9页李国华 韩和相 汪兆平 李杰 何力 袁诗鑫 
国家自然科学基金
(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80...
关键词：化合物半导体 量子阱结构 光致发光 
Ge/Si超晶格喇曼谱研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1991年第3期188-192,共5页金鹰 张树霖 秦国刚 盛篪 周铁城 
我们用喇曼光散射的方法,观察了应变层超晶格的折迭声学声子,从而验证了材料的超晶格多层结构.将实验中观察到的频率和理论计算值进行比较表明,所研究样品的标称值和喇曼实验是基本相符合的.根据光学限制模的频率移动,估算了超晶格样品...
关键词：喇曼散射 超晶格 散射谱 GE/SI 
静压下GaAs_(1-x)P_x混晶的喇曼散射
《Journal of Semiconductors》1990年第9期709-712,共4页李国华 韩和相 汪兆平 糜东林 郑健生 
国家自然科学基金
在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs_(1-x)P_x(0.76 ≤x≤1)混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs_(1-x)P_x混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系...
关键词：GAASP 混晶 压力 喇曼散射 
Pd/a-Si:H界面反应研究
《Journal of Semiconductors》1990年第8期578-582,共5页沈波 赵特秀 刘洪图 吴志强 金澍 许振嘉 
中国科技大学结构分析开放实验室科研基金
本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现...
关键词：硅化物 界面反应 喇曼散射 TEM法 
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