机械抛光

作品数：1251被引量：2245H指数：20
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水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面质量的机理
《微纳电子技术》2025年第4期99-107,共9页张潇 周建伟 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金资助(SJZZXB23003)。
通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学...
关键词：化学机械抛光(CMP) 多晶硅 羟丙基甲基纤维素(HPMC) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 表面质量 
哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理
《微纳电子技术》2025年第2期165-174,共10页刘文博 罗翀 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003)。
为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算 
烷基糖苷对硅片化学机械抛光腐蚀缺陷的影响
《微纳电子技术》2024年第11期147-154,共8页杨啸 王辰伟 王雪洁 王海英 陈志博 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金(E2019202367)。
针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题,研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果,当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅片 腐蚀缺陷 烷基糖苷(APG) 去除速率 
E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响被引量：1
《微纳电子技术》2024年第4期187-195,共9页孙纪元 周建伟 罗翀 田雨暄 李丁杰 杨云点 盛媛慧 
国家自然科学基金(62074049)。
针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓...
关键词：化学机械抛光(CMP) 去除速率 协同吸附 表面质量 密度泛函理论(DFT) 
CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展
《微纳电子技术》2024年第4期38-48,共11页梁斌 高宝红 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 
国家自然科学基金(61704046)。
对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外...
关键词：化学机械抛光(CMP) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整 
CMP抛光液中SiO_(2)磨料分散稳定性的研究进展
《微纳电子技术》2024年第2期25-35,共11页程佳宝 石芸慧 牛新环 刘江皓 邹毅达 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰 
河北省自然科学基金(E2021202018);河北省教育厅科技研究项目(QN2021041)。
对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过...
关键词：化学机械抛光(CMP) SiO_(2)磨料 表面活性剂 分散稳定性 PH值 
半导体材料CMP过程中磨料的研究进展被引量：4
《微纳电子技术》2024年第1期21-34,共14页何潮 牛新环 刘江皓 占妮 邹毅达 董常鑫 李鑫杰 
国家02科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009)。
对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性...
关键词：化学机械抛光(CMP) 抛光性能 磨料 去除速率 表面质量 
单晶SiC超精密加工研究进展
《微纳电子技术》2024年第1期35-49,共15页田壮智 班新星 韩少星 段天旭 郑少冬 朱建辉 
中国博士后科学基金(2022M712923);河南省科技攻关计划资助项目(232102221037);河南省重大科技专项(221100230100);河南工业大学高层次人才科研基金(2020BS026);河南省高等学校重点科研项目(22A460003);郑州市重大科技专项(2021KJZX0062)。
单晶碳化硅(SiC)的高脆性、高硬性和强化学惰性是制约第三代半导体超精密抛光发展的关键,实现衬底高效率、超光滑表面的加工具有挑战性。对于单晶SiC的化学机械抛光(CMP),分别从材料去除和工艺优化两个维度出发,阐述了CMP SiC的影响因...
关键词：单晶碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 材料去除率(MRR) 表面粗糙度 增效抛光 
复配表面活性剂对新型阻挡层抛光液抛光性能的影响
《微纳电子技术》2023年第5期803-809,共7页栾晓东 樊硕晨 贾儒 刘童亲 张拓 陆伟航 
国家自然科学基金(62104087);国家中长期科技发展规划科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);江苏省自然科学青年基金项目(BK20191005);江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB430011)。
针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复...
关键词：化学机械抛光(CMP) 阻挡层抛光 复配表面活性剂 抛光速率一致性 杀菌剂 
抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响
《微纳电子技术》2023年第2期298-304,共7页刘光耀 王辰伟 周建伟 魏艺璇 张新颖 刘志 刘玉岭 
国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(E2019202367)。
为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜布线 阻挡层 抛光工艺 碱性抛光液 表面质量 
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