极紫外

作品数:413被引量:787H指数:12
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相关作者:金春水李艳秋王占山王骐徐强更多>>
相关机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院大学中国科学院中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
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极紫外多层膜光栅技术研究进展被引量:2
《光机电信息》2011年第8期5-11,共7页张立超 
国家自然科学基金项目(No.60678034)
极紫外多层膜光栅是一种人造二维周期性结构,它将横向结构上的光栅衍射与深度结构上的多层膜布拉格衍射相结合,使得在极紫外波段采用非掠入射、高衍射效率、高光谱分辨率的分光元件成为可能,在天文学、物理学、材料科学等领域具有广阔...
关键词:极紫外 多层膜光栅 衍射效率 宽带多层膜 
多层膜沉积对光栅衬底槽形影响研究
《光机电信息》2011年第7期16-20,共5页张立超 
国家自然科学基金项目(No.60678034);国家科技重大专项项目
衍射效率的高低是衡量极紫外多层膜光栅的最重要指标。为实现高衍射效率,必须发展合适的多层膜沉积方法,以确保在镀膜过程中光栅衬底的槽形不发生变化。针对极紫外波段所采用的矩形光栅衬底,对其镀膜过程中的槽形变化进行了考察。结果表...
关键词:极紫外 多层膜光栅 光栅槽形 
极紫外光刻投影光学系统的研究
《光机电信息》2009年第7期35-38,共4页秦秋霞 
本文探讨了一种可应用于极紫外光刻光学系统的离轴五反射镜系统,它在光学质量、自由工作距离方面满足了极紫外光刻商业化的要求。在此基础上,文章对精密非球面加工和计算机辅助光学装校也进行了探讨。
关键词:极紫外 投影光学系统 光刻 
下一代半导体工艺曝光用极紫外光源
《光机电信息》2004年第11期35-35,共1页
日本技术研究组合极紫外曝光系统技术开发机构成功地研制出下一代半导体曝光装置用极紫外(EUV)光源,其发光点输出达到4W,是目前世界上最高的发光点输出。所开发的光源因是一种激光激励而产生EUV等离子体的光源,利用YAG激光器将Xe等...
关键词:EUV 半导体工艺 极紫外 光点 YAG激光器 光源 曝光装置 曝光系统 发光 输出 
极紫外光刻
《光机电信息》2002年第12期35-35,共1页
关键词:极紫外光刻 晶体管 EUVU技术 
下一代光刻候选技术:极紫外光刻
《光机电信息》2001年第9期8-11,共4页黄俊峰 
紫外光刻被认为是经典光刻的潜在替续者,本文给出几种典型的具有现代水平的设计,着重介绍环场投影系统的设计特色,讨论了某些新设计的投影系统的特殊性质。
关键词:极紫外光刻 环场投影系统 反射系统 集成电路 
微光刻
《光机电信息》2001年第4期59-61,共3页方舟 严寒 小平 
2001040102纳米光刻技术[中]/罗先刚…//物理.-2000,29(6).-358—363,3502001040103用于高分辨大视场微光刻的全息照相技术研究[中]/冯伯儒…//微细加工技术.-2001,(1).
关键词:微光刻 纳米光刻 全息照相 微细加工 极紫外光刻 光学系统 
日本极紫外光刻
《光机电信息》1997年第6期13-15,共3页林景全 
1.引言由于在过去的几年里人们在极紫外光刻技术发展方面做出了巨大努力,使用极紫外光刻制作0.1μm分辨率的器件的可行性已令人信服地得到证实。人们对今后八年时间内即2004年前制作出0.1μm线宽的指标充满信心。这种线宽要求能够制作...
关键词:日本 极紫外光刻 光刻 半导体器件 
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