光电流

作品数：416被引量：600H指数：9
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：陆卫王海生李宁陈效双丁小梁更多>>
相关机构：中国科学院京东方科技集团股份有限公司电子科技大学索尼半导体解决方案公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体光电x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
WO_(3)/NiWO_(4)复合薄膜的制备及其光电化学性能被引量：2
《半导体光电》2022年第1期137-142,共6页于舒睿 王蓟 杨继凯 王国政 杨雪 聂德财 李思远 
吉林省科技厅技术攻关项目(20190302125GX);吉林省科技厅重大科技专项项目(20200501006GX);吉林省科技厅项目(20200201077JC)。
采用两步水热法在导电玻璃(FTO)上制备了WO_(3)/NiWO_(4)复合薄膜。通过XRD,SEM表征了WO_(3)/NiWO_(4)复合薄膜的组成结构及微观形貌,利用UV-Vis、光电流测试、光电催化测试和交流阻抗测试分析了WO_(3)/NiWO_(4)复合薄膜的光电性能。结...
关键词：WO_(3)NiWO_(4)复合薄膜 光电流 光电催化 
硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟被引量：3
《半导体光电》2009年第5期681-683,共3页王祖军 刘以农 陈伟 唐本奇 黄绍艳 刘敏波 肖志刚 张勇 
分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100～109Gy(Si)/s范围内,诱发...
关键词：PIN光电二极管 电离脉冲辐射 光电流 数值模拟 
0.18μm CMOS施密特模数光电变换器被引量：1
《半导体光电》2008年第4期520-523,共4页成立 王玲 伊廷荣 植万江 范汉华 王振宇 
国家"863"计划项目(2006AA10Z258)
设计了一种0．18μmCMOS模数光电变换器，包括光电检测和施密特模数变换电路两部分。为了改善它的增益线性度和稳定性，所用运算放大器中引入了负反馈，并采取了改进电路结构和优选元器件参数的措施；确定了运放的版图尺寸，芯片面积为0...
关键词：CMOS集成电路 光电流 模数变换器 施密特触发器 
GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性
《半导体光电》2006年第4期383-386,共4页周飞跃 杜江锋 于奇 靳翀 罗谦 杨谟华 
在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用,获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解,从而导出了其光响应特性主要参数,并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象。将该模型...
关键词：GAN MSM结构 紫外探测器 光电流 表面态 陷阱 
高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性被引量：1
《半导体光电》2003年第5期335-337,共3页苑进社 陈光德 谢伦军 
　用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器。研究发现在5V偏压,365nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为毫秒量级。未经退火处理,MSM结构的暗态伏安特性呈线性关系,器件的暗电阻出现低阻现象。
关键词：GAN薄膜 MSM结构 光电流特性 
复合结构半导体电极在水溶液中的光电行为被引量：1
《半导体光电》2003年第4期283-285,共3页韩志慧 沈国鹏 
　借助于锁相放大技术和其他一些电化学研究方法,探讨了GaAs/Ga1-xAlxAs复合结构半导体材料的光电行为,分别对不同复合结构和同一复合结构、掺杂Al组分不同的半导体材料的开路输出光电压和光电流响应进行了研究。结果表明:采用复合材料...
关键词：复合结构半导体 光阳极 光电压 光电流 
多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性
《半导体光电》2001年第3期166-168,共3页程兴奎 周均铭 黄绮 
国家自然科学基金资助项目! (6 9976 0 16 );山东省自然科学基金资助课题!(Y98G1110 7)
根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时 ,量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上 ,在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光...
关键词：多量子阱 电子干涉 光电流特性 电子波动 
微斑光电流谱和光反射谱的自动测量系统
《半导体光电》2000年第1期69-70,共2页张培宁 张世林 郭维廉 林世鸣 陈弘达 
中科院开放实验室资金
叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。
关键词：光电流谱 光反射谱 自动测量系统 微斑 
1×10硅雪崩光电二极管单片列阵
《半导体光电》1980年第1期83-84,共2页程泰平 
随着空间高密度通信技术的不断更新和发展,将发光器件和光电探测器件列阵化已成了当务之急。因为与用相同数量的分立器件组合起莱的装置相比,列阵化后的器件装置不仅体积小,而且比较容易实现与纤维光缆耦合。此外,列阵上只加一个电压源...
关键词：硅雪崩光电二极管 单管 响应度 单片 台面结构 光电流 击穿电压 光通量 光流 
硅PIN光电探测器
《半导体光电》1980年第1期32-39,共8页
利用成熟的半导体平面工艺,采用高阻硅(Si)单晶,我们已成功地制造了四种光电探测器。1.单个的 Si—PIN 光电二极管2.Si 象限探测器3.Si 光电压探测器4.
关键词：光电探测器 辐射探测器 光电流 光电二极管列阵 暗电流 PIN 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部