光学光刻

作品数:103被引量:209H指数:8
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相关领域:电子电信更多>>
相关作者:谢常青刘明陈大鹏童志义陈宝钦更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所中国科学院信越化学工业株式会社四川大学更多>>
相关期刊:《微细加工技术》《中国集成电路》《电子科技文摘》《电子显微学报》更多>>
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EUV光刻技术的挑战被引量:2
《电子工业专用设备》2015年第5期1-12,共12页程建瑞 
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻...
关键词:光学光刻技术 极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术 大规模生产 高分辨率 集成电路 光学测量技术 
工业用光源
《中国照明电器光源灯具文摘》2006年第1期27-28,共2页
光学光刻中的离轴照明技术;光纤陀螺用的光源及其关键技术;
关键词:背光源 工业用 出租车计价器 照明技术 光学光刻 光纤陀螺 故障分析 电路原理 
光学光刻的极限被引量:1
《电子工业专用设备》1999年第1期54-59,共6页谢中生 Brun.,JH 
光学光刻是30年来IC生产中作图技术的主要工艺方法。抗蚀剂和光学系统方面的迅猛发展和惊人进步,已超前于更复杂的替代方法的应用。这种替代还将继续多久?采用变换镜头和系统的各种途径表明,光学光刻技术仍有发展的余地。光学光...
关键词:光学光刻 IC 集成电路 制造工艺 
光学光刻——向21世纪挺进被引量:2
《电子工业专用设备》1998年第2期1-5,共5页
光学光刻———向21世纪挺进本刊编辑部当前的IC工业,正在沿着美国半导体工业协会(SIA)制订的半导体技术发展蓝图并遵循摩尔定律向前发展。以存储器为代表的IC技术,已步入了035μm线宽的64M器件批生产阶段;0...
关键词:半导体器件 光学光刻 IC 集成电路 
远紫外光刻现状及未来
《微电子技术》1997年第2期10-17,共8页童志义 
本文主要过评了光学光刻技术在由0.35μmat艺向0.25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战,以及远紫外光刻所处的地位,现状及今后的发展趋势。
关键词:光学光刻 远紫外曝光 0.25μm工艺 集成电路 
抗蚀剂技术在工艺发展方向
《国际学术动态》1992年第2期94-96,共3页洪啸吟 
关键词:集成电路 抗蚀剂 工艺 光学光刻 
光学光刻技术的新进展
《电子世界》1992年第8期4-5,共2页杨钟濂 
关键词:集成电路 工艺 光刻技术 
光学光刻仍是下一代ULSI规模生产的主导光刻技术
《电子工业专用设备》1991年第3期14-23,共10页刘文辉 
本文从工业化生产的观点,对各种光刻技术进行ULSI规模生产的能力及问题给以简要比较说明,提出发展光学光刻技术作为下一代0.35μm和0.25μmULSI工业化生产的主导光刻技术,是光刻技术本身发展和半导体工业发展的必然。
关键词:ULSI 光刻技术 光学光刻 集成电路 
超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望
《光学技术》1991年第1期2-5,共4页宋登元 
光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现...
关键词:超大规模 集成电路 光刻技术 
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