横向扩散金属氧化物半导体

作品数：33被引量：42H指数：4
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维 黄柯月 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...
关键词：辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流 
SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展被引量：1
《半导体技术》2023年第11期949-960,共12页杨帅强 刘英坤 
集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料...
关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底 晶面 器件结构 击穿电压 比导通电阻 
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1
《半导体技术》2019年第8期623-627,658,共6页陈轶群 陈佳旅 蒲贤勇 
在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行...
关键词：功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS) 版图设计 电学安全工作区(E-SOA) 传输线脉冲(TLP) 
50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制
《半导体技术》2017年第8期603-607,共5页张晓帆 郎秀兰 李亮 李晓东 
分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶...
关键词：硅 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 脉冲 大功率 宽带 千瓦级 
一种高频E类功率放大器设计方法被引量：2
《半导体技术》2015年第9期658-662,共5页刘超 陈钟荣 
国家自然科学基金资助项目(41075025)
E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输...
关键词：负载牵引 E类 功率放大器(PA) 最大频率 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 谐波阻抗 
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
《半导体技术》2012年第4期254-257,共4页王中健 夏超 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 
国家自然科学基金资助项目(10775166;61006088);国家部委基金项目
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合 
LDMOS微波功率放大器分析与设计被引量：4
《半导体技术》2007年第2期158-161,共4页韩红波 郝跃 冯辉 李德昌 
陕西省发展基金项目(Y20050608)
在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580-1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30％。同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对...
关键词：横向扩散金属氧化物半导体 ADS软件 功率放大器 负载牵引法 共轭匹配 
LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究
《半导体技术》2007年第1期33-36,共4页冯永生 刘元安 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20030013010)
以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系。
关键词：横向扩散金属氧化物半导体 功率放大器 记忆效应 互调失真 
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