负阻

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半绝缘GaAs光电导开关亚皮秒传输特性的研究
《电子学报》2008年第9期1795-1799,共5页贾婉丽 施卫 纪卫莉 李孟霞 
国家自然科学基金(No.50477011);国家重点基础研究发展计划(973计划)基金(No.2007CB310406)
本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关基于Auston等效电路亚皮秒传输特性.从载流子在开关体内的动态特性出发,研究了光电导开关在飞秒激光脉冲触发下光电导传输特性、电介质弛豫特性、开关储能特性以...
关键词：光电导开关 Ensemble-Monte CARLO方法 谷间散射 负阻效应 
Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：4
《电子学报》2001年第8期1132-1134,共3页张万荣 李志国 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生 
北京市自然基金 (No .4982 0 0 4 ) ;北京市科技新星项目基金 (No.952 871 90 0 )
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,...
关键词：异质结双极晶体管 负阻特性 输出特性 硅 锗 
硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
《电子学报》2000年第8期66-68,71,共4页郑元芬 郭维廉 张世林 张培宁 李树荣 郑云光 陈弘达 吴荣汉 林世鸣 芦秀玲 
集成光电子学国家重点联合实验室!(中科院半导体所 )开放课题 ;国家自然科学基金!(No.698962 60 )
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光...
关键词：硅光电负阻器件 PLBT 光双稳开关时间 
采用负阻电路的大调频范围GaAsMMIC压控带通有源滤波器被引量：1
《电子学报》1998年第11期107-109,共3页田彤 罗晋生 张瑞智 李祖华 陈堂胜 林金庭 
国家自然科学基金
采用负阻电路以及我们自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管，用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器该滤波器具有200MHk的3dB带宽，调频范围1．64GHz～1．0GHz、计约600MHz并具有足够的带外抑制比．全部偏置电路...
关键词：GaAs MMIC 压控 有源滤波器 负阻电器 砷化镓 
用硅光电负阻器件产生光学双稳态被引量：9
《电子学报》1998年第8期108-110,共3页郭维廉 张培宁 郑云光 李树荣 郭钢 
国家自然科学基金
本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（P...
关键词：硅光电负阻器件 光学双稳态 光逻辑器件 PNEGIT 
光电负阻晶体管的初步研究被引量：13
《电子学报》1997年第2期100-102,共3页郭维廉 李树荣 郑云光 
自然科学基金
本文对“λ”双极晶体管（ＬＢＴ）型光电负阻晶体管（或称为光电“λ”双极晶管体ＰＬＢＴ）［１］，首次给出了完整的等效电路。并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ—ＶｃＥ特性进行了模拟．模拟...
关键词：光电器件 负阻器件 
微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究
《电子学报》1997年第2期6-10,共5页孙晓玮 罗晋生 周宗闽 曹金荣 林金庭 
国家自然科学基金
本文给出了一种利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片（简称ＭＭＩＣ）有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能．文中还给出了单片电路的设计方...
关键词：MMIC 砷化镓 MESFET 压控滤波器 
双向负阻器件的数值模拟被引量：3
《电子学报》1996年第2期66-69,共4页李建军 魏希文 王美田 李风银 王化雨 盖学敏 
国家自然科学基金
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。
关键词：负阻器件 数值模拟 半导体器件 
双管S型负阻器件的研究被引量：7
《电子学报》1995年第2期74-77,共4页魏希文 王美田 李建军 李雪梅 李凤银 王化雨 曹体伦 
国家自然科学基金
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）．本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。
关键词：负阻器件 两端器件 
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