高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武 王安晨 殷亚楠 周昕杰 
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固 
用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
《微纳电子技术》2024年第3期136-143,共8页高阳 周燕萍 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车 
热阻降低39.5%的4英寸金刚石基GaN HEMT工艺被引量：1
《微纳电子技术》2023年第8期1326-1331,共6页廖龙忠 武毅畅 周国 付兴中 张力江 
散热问题是制约GaN大功率器件应用的瓶颈,为解决这个问题,研究人员将注意力集中到金刚石上的GaN结构(金刚石基GaN)。研发了一种将4英寸(1英寸=2.54 cm)GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)转移到金刚石上来提高散热效率的工艺技术。首先采用GaN...
关键词：GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 大功率器件 金刚石 晶圆级键合 
基于AlGaN/GaN HEMT的340GHz太赫兹外差探测器和中频放大器集成
《微纳电子技术》2022年第9期846-852,共7页范飞 丁青峰 张金峰 程凯 孙建东 秦华 
国家自然科学基金资助项目(61771466,61775231);江苏省重点研发计划资助项目(BE2018005);中国科学院青年创新促进会资助项目(Y2021089)。
针对具有高输出阻抗的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器与商用低噪声放大器阻抗失配、带宽小的问题,采用AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器与AlGaN/GaN HEMT中频放大器的集成方式,搭建了340 GHz太赫兹外差系统,测试集成芯片的...
关键词：氮化镓(GaN) 太赫兹探测器 高电子迁移率晶体管(HEMT) 中频(IF)放大器 外差 噪声等效功率(NEP) 
源漏偏置电压对AlGaN/GaNHEMT太赫兹探测器灵敏度的调控被引量：2
《微纳电子技术》2021年第10期875-881,共7页刘亮 熊圣浩 丁青峰 冯伟 朱一帆 秦华 
国家自然科学基金资助项目(61775231,61975227);江苏省重点研发计划项目(BE2018005)。
天线耦合的场效应晶体管(FET)太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下,设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度。测试分析了天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹自混频探测器的源漏偏置电压对太赫兹自混频响应度和噪声...
关键词：太赫兹探测器 高电子迁移率晶体管(HEMT) 氮化镓(GaN) 噪声等效功率(NEP) 自混频 噪声 
碳基纳电子的新进展(续)
《微纳电子技术》2020年第12期949-962,共14页赵正平 
4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路(MMIC)的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨...
关键词：二维电子气 高电子迁移率 外延石墨烯 混频器 MMIC 双极性 弹道输运 整流器 
具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料
《微纳电子技术》2019年第9期704-708,719,共6页王波 高楠 郭艳敏 尹甲运 张志荣 袁凤坡 房玉龙 冯志红 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目（61804139）;国家重点研发计划资助项目（2016YFB0400203)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲...
关键词：氮化镓(GaN) 铝镓氮(AlGaN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 背势垒 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
THz InP HEMT和HBT技术的最新研究进展被引量：6
《微纳电子技术》2018年第6期381-387,421,共8页王淑华 
概述了太赫兹（THz）InP技术的优势、应用前景及美国的发展规划。重点对国外THzInP高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）的技术进展和突破进行了详细阐述，其中国外HEMT和HBT器件的工作频率都达到了1THZ以上，国外报道...
关键词：太赫兹(THz)技术 InP高电子迁移率晶体管(HEMT) InP异质结双极晶体管 (HBT) InP器件 低噪声放大器 功率放大器 
基于硅透镜集成的高灵敏度室温太赫兹探测器被引量：4
《微纳电子技术》2017年第11期729-733,共5页孙云飞 孙建东 秦华 班建民 罗恒 陶重犇 胡伏原 田学农 
国家自然科学基金资助项目(61401297;61401456);江苏省自然科学基金资助项目(BK20140283);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题资助项目(14ZS05)
提出了一种基于硅透镜集成的高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的太赫兹模组探测器。在太赫兹波辐照下,超半球硅透镜可以有效提高太赫兹波收集效率和消除被测器件的衬底干涉效应,进而提高探测器的灵敏度。对集成有直径为6 mm...
关键词：探测器 太赫兹 高电子迁移率晶体管(HEMT) 硅透镜 灵敏度 
基于天线优化的GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器被引量：1
《微纳电子技术》2017年第10期653-657,683,共6页孙云飞 班建民 陶重犇 胡伏原 孙建东 田学农 
国家自然科学基金资助项目(61401297,61401456);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题资助项目(14ZS05);江苏省自然科学基金资助项目(BK20140283)
介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指标。利用有限时域差分(FDTD)法对太赫兹天线的特征尺寸(源、...
关键词：探测器 太赫兹 高电子迁移率晶体管(HEMT) 自混频 有限时域差分 (FDTD)法 
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