云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 高电子迁移率

高电子迁移率: 作品数：658被引量：844H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃张进成马晓华陈堂胜王冲更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展: 《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武王安晨殷亚楠周昕杰; 阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应损伤机制抗辐射加固

电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT: 《红外与毫米波学报》2024年第3期329-333,共5页封瑞泽曹书睿冯识谕周福贵刘同苏永波金智; The National Natural Science Foundation of China(61434006)。; 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为126...; 关键词：铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) INGAAS/INALAS 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽

一种L波段300W GaN脉冲功率模块: 《半导体技术》2024年第6期555-560,共6页董四华刘英坤高永辉秦龙; 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻...; 关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 负载牵引技术高压脉冲调制 L波段功率模块

一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路被引量：2: 《半导体技术》2024年第5期483-491,共9页王忠秦世清王福学边国辉; GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。...; 关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 驱动电路串扰桥式电路电路振荡

用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺: 《微纳电子技术》2024年第3期136-143,共8页高阳周燕萍王鹤鸣左超上村隆一郎杨秉君; GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti...; 关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体栅极结构新能源汽车

具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器: 《半导体技术》2024年第3期263-271,共9页王忠曹通王福学边国辉; 提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电...; 关键词：反激式变换器电压浪涌自驱动有源缓冲器 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) DC-DC

基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计: 《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪王亚冰何美林胡志富; 基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...; 关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路分谐波混频器带通滤波器 Marchand巴伦

基于MIF-HEMT生物传感技术的同仁牛黄清心丸关键质量属性测量研究被引量：4: 《药学学报》2023年第10期2853-2861,I0003,共10页马朝富王子健马丽娟胡小艳魏宇楠张晓梦郭新雨郇星月赵静许谨帆李楠王志斌杜菁吴志生; 国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(82022073);国家自然科学基金项目(82274110);国家重点研发计划项目(2022YFC3501902);中央高校基本科研业务费北京中医药大学揭榜挂帅项目(2022-JYB-JBZR-018,2022-JYB-JBZR-019)。; 中药复方临床疗效关联的关键质量属性(critical quality attributes,CQAs)测量是中药制造亟待攻克的关键难题之一。为此,以同仁牛黄清心丸为载体,提出生物传感结合超高效液相色谱/串联质谱(ultra-performance liquid chromatography/tan...; 关键词：巨噬细胞移动抑制因子高电子迁移率晶体管生物传感同仁牛黄清心丸关键质量属性

P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展被引量：2: 《北京工业大学学报》2023年第8期926-936,共11页朱彦旭宋潇萌李建伟谭张杨李锜轩李晋恒; 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。; 增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型...; 关键词：氮化镓(GaN) P-GaN栅技术高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 增强型器件结构优化制备工艺优化

热阻降低39.5%的4英寸金刚石基GaN HEMT工艺被引量：1: 《微纳电子技术》2023年第8期1326-1331,共6页廖龙忠武毅畅周国付兴中张力江; 散热问题是制约GaN大功率器件应用的瓶颈,为解决这个问题,研究人员将注意力集中到金刚石上的GaN结构(金刚石基GaN)。研发了一种将4英寸(1英寸=2.54 cm)GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)转移到金刚石上来提高散热效率的工艺技术。首先采用GaN...; 关键词：GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 大功率器件金刚石晶圆级键合

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