N通道

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CSDl7381F4等:FemfOFETMOSFET
《世界电子元器件》2014年第1期28-28,共1页
Tl推出新系列FemtoFETMOSFET晶体。 三个N通道及三个P通道FemtoFETMOSFET均采用平面栅格阵列(LGA)封装,与芯片级封装(CSP)相比,其可将板积空间锐减40%。
关键词:芯片级封装 N通道 积空间 阵列 
μPA2600等:功率MOSFET
《世界电子元器件》2012年第6期34-34,共1页
瑞萨电子株式会社推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)产品,适用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有低功耗(低导通电阻),器件包括20V(VDSS)μPA2600和30VμPA2601,配置了超紧凑型...
关键词:功率MOSFET 便携式电子产品 低导通电阻 金属氧化 株式会社 智能手机 N通道 低功耗 
PSMN1R2-25YL:MOSFET
《世界电子元器件》2009年第8期42-42,共1页
NXP推出N通道、1mΩ以下25V MOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有低导通电阻RDS(ON)以及一流的FOM参数。新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench6硅技术于一体,可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优...
关键词:MOSFET器件 RDS(ON) LFPAK封装 低导通电阻 ring 电机控制 N通道 FOM 
SiB800EDK:n通道功率MOSFET/肖特基二极管
《世界电子元器件》2009年第1期54-54,共1页
Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET+肖特基二极管SiB800EDK,该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出,意味着Vishoy将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V栅极驱动时规...
关键词:功率MOSFET 肖特基二极管 N通道 导通电阻 栅极驱动 正向电压 增强型 器件 
SiS426DN/SiR496DP/Si7718DN/Si7784DP:第三代功率MOSFET
《世界电子元器件》2009年第1期54-54,共1页
Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件,从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%,从而降低切换损耗及提高切换速度。
关键词:功率MOSFET 第三代 SI 切换速度 栅极电荷 电荷平衡 N通道 器件 
SiR476DP:功率MOSFET
《世界电子元器件》2008年第12期53-53,共1页
Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOS...
关键词:功率MOSFET 直流转换器 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 N通道 器件 优值 
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