P型ZNO

作品数：108被引量：317H指数：9
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Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1433-1435,共3页叶志镇 林时胜 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推...
关键词：LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱 
生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期275-278,共4页卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 
国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
关键词：ZNO P型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 
PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期279-281,共3页潘新花 叶志镇 朱丽萍 顾修全 何海平 
国家自然科学基金(批准号:50532060,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过...
关键词：脉冲激光沉积 p-ZnO 锑掺杂 
脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期322-325,共4页张银珠 叶志镇 吕建国 何海平 顾修全 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50532060,50572095)
采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了...
关键词：Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积 
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第1期91-95,共5页周新翠 叶志镇 陈福刚 徐伟中 缪燕 黄靖云 吕建国 朱丽萍 赵炳辉 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038)资助项目~~
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴...
关键词：p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂 
MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜被引量：13
《Journal of Semiconductors》2005年第1期38-41,共4页徐伟中 叶志镇 周婷 赵炳辉 朱丽萍 黄靖云 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~
采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了Zn...
关键词：P型 ZNO 金属有机化学气相沉积 
直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性被引量：11
《Journal of Semiconductors》2004年第6期668-673,共6页袁国栋 叶志镇 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家自然科学基金(批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了...
关键词：Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射 
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