P阱

作品数：13被引量：7H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：徐跃陈亮秦玉香杨冰杨银堂更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司南京邮电大学上海华力微电子有限公司天津大学更多>>
相关期刊：《电子质量》《测试技术学报》《中国设备工程》《电子产品世界》更多>>
相关基金：国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种抑制单粒子瞬态响应的SiGe HBT工艺加固技术仿真
《微电子学》2023年第6期965-970,共6页易孝辉 谭开洲 张培健 魏佳男 洪敏 罗婷 徐开凯 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702);重庆市博士后特别资助项目(YBSH2103);国家自然科学基金资助项目(62174018)
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,开展了无深槽NPN SiGe HBT工艺和器件仿真。模拟了带深P阱SiGe HBT的制备过程、常规电学特性和重离子单粒子效应。该器件与常规器件相比表现出更优的单粒子瞬态(SET)特性,在关态的SET响应峰值下降了80%,在...
关键词：SiGe BiCMOS SiGe HBT 单粒子瞬态 电荷收集 深P阱 
SOI LDMOS栅漏电容特性的研究被引量：3
《微电子学》2005年第4期352-356,共5页俞军军 孙伟锋 易扬波 李海松 陆生礼 
国家高技术研究发展计划(863)计划资助项目(2003AA1Z1400)
借助软件,模拟并研究了SOILDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOILDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法。
关键词：SOI LDMOS 栅漏电容 栅氧化层 漂移区 P阱 
一种新型P阱NMOS功率集成电路制作技术
《微电子学》1996年第3期195-197,共3页曹广军 刘三清 秦祖新 应建华 徐彦忠 
提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。
关键词：功率集成电路 VDMOS FET 隔离技术 
一种双扩散p阱nMOS器件新结构
《微电子学》1994年第4期17-21,共5页秦祖新 曹广军 刘三清 
本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理电路与衬底间的ｐｎ结隔离，并且隔离电压接近ＶＤＭＯＳ管的...
关键词：双扩散 MOS器件 结构 P阱 
2μmp阱CMOS工艺中提高源－漏穿通电压的方法被引量：1
《微电子学》1994年第3期31-33,共3页蒋志 王勇 赵海军 
采用防穿通注入的工艺方案，对提高２μｍｐＭＯＳ管的源漏穿通电压应选用的工艺条件做了实验研究。给出了加防穿通注入工艺的实验结果及其对Ｖ＿（Ｔｐ）的影响。
关键词：CMOS 工艺 源漏穿通电压 2μmp阱 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部