SI(111)衬底

作品数：41被引量：90H指数：6
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：郑有炓韩平张荣徐彭寿修向前更多>>
相关机构：中国科学院南京大学中国科学技术大学浙江大学更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《功能材料》《红外与毫米波学报》《无机材料学报》更多>>
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采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期230-233,共4页刘喆 王晓亮 王军喜 胡国新 李建平 曾一平 李晋闽 
中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹...
关键词：SI衬底 ALN缓冲层 GAN 形貌 缺陷 
Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1577-1581,共5页朱军山 徐岳生 郭宝平 刘彩池 冯玉春 胡加辉 
广东省关键领域重点突破基金资助项目(批准号:2B2003A107)~~
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释...
关键词：MOCVD GAN 缓冲层 
Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期109-112,共4页王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾 
国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目
通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此...
关键词：GAN ALN SI衬底 
Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究被引量：8
《Journal of Semiconductors》1997年第4期264-268,共5页李慧 马辉 丁维清 秦复光 
国家自然科学基金
本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成．实验结果表明：所得β-FeSi2（101）或（110）面基本平行...
关键词：外延生长 半导体材料 硅 衬底 薄膜 
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