SRAM

作品数：1042被引量：981H指数：11
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相关机构：安徽大学国防科学技术大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
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多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
《微电子学与计算机》2025年第1期110-116,共7页池雅庆 胡春媚 陈建军 梁斌 陈小文 
国家自然科学基金(62174180)。
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重...
关键词：EDAC SEC-DED 位交织 单粒子翻转 SRAM 
一种支持多比特网络的电荷域存内计算电路
《微电子学与计算机》2024年第11期83-89,共7页杨子翼 任二祥 张静 杨兴华 魏琦 乔飞 
为了满足更多的应用场景,智能感知设备面临算力和功耗两方面的挑战。提出了一种支持多层多bit的CIM架构,平衡了高算力和低功耗的需求。该架构中的CIM单元本身具有性能优势,不仅支持架构的集成,并且取得了较好的系统性能。该CIM单元在标...
关键词：SRAM 存内计算 电荷域 多比特网络 
SRAM存内计算技术综述被引量：6
《微电子学与计算机》2021年第9期1-7,共7页龚龙庆 徐伟栋 娄冕 
在处理深度神经网络这类数据密集型应用的过程中,处理器和存储器间大量数据的频繁传输会造成严重的性能损耗和能量消耗,也是当前冯·诺伊曼架构最大的瓶颈.针对传统冯·诺伊曼体系架构的局限性,基于SRAM的存内计算技术将运算单元集成到...
关键词：数据密集型应用 冯·诺伊曼架构 SRAM 存内计算 
嵌入式SRAM MBIST优化设计研究被引量：1
《微电子学与计算机》2020年第8期37-42,共6页姜爽 刘诗斌 郭晨光 喻贤坤 
随着制造工艺的进步和SoC功能的日益丰富,现代SoC大多会集成大量不同种类的嵌入式SRAM,三单元耦合故障对电路的影响开始加深.传统MBIST通常基于EDA工具直接实现,以检测单、双单元故障为主,无法全面覆盖三单元耦合故障,应用于现代SoC时...
关键词：SRAM MBIST 三单元耦合故障 测试成本 测试覆盖率 
一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法被引量：2
《微电子学与计算机》2019年第4期17-22,共6页桑胜男 张立军 郑坚斌 彭增发 
FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态...
关键词：SRAM MARCH算法 动态故障 故障原语 MBIST 
一种用于ASIC内部存储器单粒子翻转效应评估的方法被引量：2
《微电子学与计算机》2017年第10期22-25,共4页郑宏超 岳素格 王亮 简贵胄 初飞 
本文提出了利用存储器内建自测试(MBIST)进行专用集成电路(ASIC)内部存储器的单粒子翻转(SEU)检测方法,研究并制定了MBIST的单粒子有效性辐照注量的统计方案,最后在重离子加速器上应用该方法进行了单粒子试验验证.通过与相同结构的存储...
关键词：ASIC SRAM SEU MBIST 
基于延时链的高精度SRAM时序参数测量电路
《微电子学与计算机》2017年第6期18-20,25,共4页姜彬 张敏敏 王琴 蒋剑飞 毛志刚 
国家自然科学基金项目(61176037)
本文提出并实现了一种用于测量SRAM时序参数的延时链电路,在SMIC 130nm工艺下精度可以达到4.9ps.该延时链电路包括可调链路和固定链路,可调链路由可编程粗调单元和精调单元组成,固定链路由固定单元组成.并将待测SRAM和测量电路集成入SO...
关键词：延时链 SRAM时序参数 SOC 
适应于动态电压频率调整的抗辐照SRAM设计被引量：1
《微电子学与计算机》2017年第4期33-38,共6页李广林 张杰 商中夏 耿莉 
国家自然科学基金(61271089);陕西省重点创新团队项目(2013KCT-03)
动态电压频率调整(Dynamic Voltage Frequency Scaling,DVFS)可以使系统在高电压工作时获得高性能,在低电压工作时降低系统功耗,它要求电路能够从正常电压一直到亚阈值区范围内均能正常工作.抗辐照DVFSSRAM的设计面临着低压工作稳定性...
关键词：SRAM DICE单元 动态电压频率调整 防辐照 低功耗 
65nm近阈值SRAM稳定性分析被引量：2
《微电子学与计算机》2017年第1期26-29,34,共5页于雨情 王天琦 齐春华 肖立伊 喻沛孚 
深圳市战略新兴产业发展专项资金资助(JCYJ20150625142543456);哈尔滨市科技创新人才研究专项资金(2015RAXXJ003)
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一...
关键词：低功耗 近阈值电压 读噪声容限 工艺波动 
应用于超低电压下的SRAM存储单元设计被引量：1
《微电子学与计算机》2016年第9期15-18,23,共5页刘冰燕 蔡江铮 黑勇 
中国科学院战略性先导科技专项极低功耗智能感知技术(XDA06020401)
提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3V下正常操作,...
关键词：随机静态存储器(SRAM) 低电压 低功耗 存储单元 多阈值 
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