CMP

作品数：980被引量：2024H指数：17
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基于CMP运行过程数据可视化分析系统的研究与实现
《电子工业专用设备》2024年第4期24-29,共6页贾若雨 白琨 李嘉浪 
Chemical Mechanical Polishing(CMP)工艺过程中产生大量运行数据,存在数据量庞大、数据种类复杂多样等特点。而且现有数据分析方法单一,造成数据资源浪费,限制研究人员对运行情况的掌握和优化。针对这些情况提出一种数据可视化分析系统...
关键词：化学机械抛光 可视分析 用户交互 
CMP工艺晶圆表面颗粒去除问题的研究被引量：1
《电子工业专用设备》2023年第1期28-30,64,共4页李岩 于静 戴豪 钱震坤 
CMP之后晶圆表面颗粒数目是CMP工艺的一项关键指标。针对Si CMP之后的清洗效果,分析了晶圆表面亲疏水性、清洗液浓度方面对清洗效果的影响。结果表明通过一定浓度的清洗液清洗抛光之后晶圆能取得较好的表面颗粒数量,满足工艺需求。
关键词：化学机械平坦化(CMP) 清洗液 颗粒度 
缓存区工位和调度系统在CMP设备中的应用
《电子工业专用设备》2022年第5期53-55,共3页田洪涛 王嘉琪 刘志伟 吴燕林 
介绍了一种半导体专用设备用的缓存装置及其调度方法,此调度方法适用于晶圆的多种工艺加工过程,针对设备在晶圆传输过程中遇到模块故障或者模块超时问题,合理的启用缓存区工位将有受损风险的晶圆收纳到缓存区,并在故障消除后将晶圆恢复...
关键词：化学机械平坦化(CMP)设备 缓存区 调度流程 
CMP清洗传输机械手的优化设计
《电子工业专用设备》2021年第6期64-68,共5页刘福强 张继静 吴燕林 史霄 李伟 
为了提高现有清洗机械手结构的适用性和可靠性,通过调研实际工况和有限元分析,对现有清洗机械手进行结构和尺寸优化。通过优化分析,晶圆的脱片和碎片风险得以降低,清洗机械手的适用性和可靠性得到了实质性提升。
关键词：清洗机械手 化学机械抛光(CMP) 有限元分析 
CMP干燥模组控制软件设计
《电子工业专用设备》2021年第3期16-20,共5页杨旭 杨元元 王嘉琪 贾若雨 
介绍了旋转干燥和异丙醇加热雾化干燥的工作原理,深入分析了控制软件的需求,利用面向对象的设计方法,完成了系统架构的设计,并对干燥加工、异丙醇补液、参数监控3个关键功能模块进行了设计,目前该软件已在设备端应用中达到了理想的工艺...
关键词：半导体制造 控制软件设计 面向对象 晶圆干燥 化学机械抛光 
CMP在线光学终点检测算法研究及应用
《电子工业专用设备》2021年第2期37-42,共6页杨元元 杨旭 史霄 孟晓云 杨师 
介绍了化学机械抛光(CMP)中表面膜层为金属和非金属晶圆的在线终点检测原理。研究了窗口检测算法,实时检测光强变化趋势,抓取趋势特征点,从控制抛光过程,实现CMP在线终点检测。实验结果表明,检测算法可达到预期的检测精度,能够满足生产...
关键词：化学机械抛光 在线终点检测 窗口检测 算法 特征点 
集成电路铜布线CMP后BTA残留红外检测分析的研究
《电子工业专用设备》2020年第5期1-5,28,共6页刘宜霖 檀柏梅 高宝红 岳爽 刘雅文 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金项目(F2018202174);河北省博士后择优资助项目(B2015003010)。
BTA是集成电路多层铜布线CMP中常用的抗蚀剂,CMP后在表面的残留会严重影响其他工序的正常进行并损害集成电路性能,因此针对BTA的清洗及检测显得尤为重要。红外光谱检测法是针对有机物检测的有效手段之一。采用傅里叶红外光谱仪系统,对Cu...
关键词：Cu-BTA(苯骈三氮唑) 傅里叶红外光谱检测技术 FTIR-ITR红外光谱 CMP后清洗 
CMP抛光头分区自动压力校准方法的研究与实现
《电子工业专用设备》2020年第4期47-49,共3页贾若雨 白琨 孟晓云 
针对化学机械抛光(CMP)抛光头分区压力控制过程中存在的加载压力与反馈压力不一致、人工校准效率低、操作易出错等影响抛光工艺效果的问题,提出一种基于高精度压力检测仪的抛光头分区自动压力校准方法,并依据该方法,基于模型-视图-控制...
关键词：化学机械抛光 自动压力校准 高精度压力检测仪 
CMP精准过程控制系统数据库的设计
《电子工业专用设备》2020年第3期18-22,共5页白琨 贾若雨 李嘉浪 岳爽 
CMP设备通过精准过程控制系统(Precision Process Control,PPC)可以精准计算抛光时间。而在这一过程中,需要存储大量的抛光历史数据、晶圆厚度量测数据、计算中间值和模型配置信息等。这些数据信息数量巨大、关系复杂,并且在计算过程中...
关键词：化学机械抛光 精准过程控制 数据库 
硅片CMP颗粒度的几个影响因素研究被引量：1
《电子工业专用设备》2020年第2期27-28,68,共3页刘永进 
颗粒度是CMP工艺的重要指标。针对CMP的几个工艺参数进行实验,获得了各参数对硅片CMP后颗粒度的影响。
关键词：硅片 化学机械抛光(CMP) 颗粒度 
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