CMP工艺

作品数:32被引量:96H指数:6
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相关作者:陈岚徐勤志刘玉岭孙艳牛新环更多>>
相关机构:河北工业大学中国科学院微电子研究所无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
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GaSb单晶片CMP工艺的研究被引量:6
《微纳电子技术》2017年第11期797-800,共4页边子夫 李晖 徐世海 刘卫丹 陈阳 高飞 朱磊 
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过...
关键词:GASB 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 PH值 氧化剂 
碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估被引量:3
《微纳电子技术》2014年第6期404-408,共5页袁浩博 刘玉岭 蒋勐婷 刘伟娟 陈国栋 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
研究了一种碱性铜抛光液,其基本组分是硅溶胶磨料、新型FA/O V型螯合剂、非离子表面活性剂和氧化剂(H2O2)。在压力为2 psi(1 psi=6.895 kPa)、抛头转速与抛盘转速分别为97和103 r/min、流量为300 mL/min的条件下,分析了铜膜去除速率随...
关键词:碱性铜抛光液 去除速率 片内非均匀性(WIWNU) 高低差 平坦化 
CMP工艺参数对TiO_2薄膜去除速率的影响被引量:4
《微纳电子技术》2014年第5期337-340,共4页李彦磊 段波 周建伟 杨瑞霞 牛新环 
河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省教育厅基金资助项目(2011128)
在TiO2薄膜化学机械抛光(CMP)加工过程中,TiO2薄膜的材料去除速率(MRR)非常重要。对抛光工艺参数进行了优化研究,CMP实验采用自主配制的碱性抛光液对TiO2进行抛光,研究了抛光压力、抛光液流量、抛光头转速和抛光盘转速对材料去除速率的...
关键词:TIO2薄膜 去除速率 压力 流量 抛光头转速 抛光盘转速 
ULSI电路层间SiO_2介质CMP工艺与抛光液被引量:6
《微纳电子技术》2006年第11期549-552,共4页孙鸣 刘玉岭 贾英茜 刘博 刘长宇 
阐明了化学机械抛光(CMP)工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用,介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色,着重分析了影响SiO2介质化学机械抛光质量的主要因素并在此基础上提出CM...
关键词:化学机械抛光 SiO2介质 去除速率 
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