云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- DBR

DBR: 作品数：280被引量：588H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：赵丽霞陈培德邓军邓业成沈光地更多>>; 相关机构：中国科学院华中科技大学长春理工大学北京工业大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划广西壮族自治区自然科学基金更多>>

Analysis of the time domain characteristics of tapered semiconductor lasers被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2020年第3期49-53,共5页Desheng Zeng Li Zhong Suping Liu Xiaoyu Ma; We use traveling wave coupling theory to investigate the time domain characteristics of tapered semiconductor lasers with DBR gratings.We analyze the influence of the length of second order gratings on the power and s...; 关键词：tapered semiconductor lasers time domain characteristics DBR gratings mode competition

High order DBR GaSb based single longitude mode diode lasers at 2 μm wavelength被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2018年第10期58-63,共6页Hao Luo Cheng'ao Yang Shengwen Xie Xiaoli Chai Shushan Huang Yu Zhang Yingqiang Xu Zhichuan Niu; Project supported by the National Basic Research Program of China(Nos.2016YFB0402403,2014CB643903);the National Natural Science Foundation of China(Nos.61790583,61435012); The GaSb-based distributed Bragg reflection（DBR） diode laser with 23 rd-order gratings have been fabricated by conventional UV lithography and inductively coupled plasma（ICP） etching. The ICP etching conditions we...; 关键词：GaSb-based distributed Bragg reflection inductively coupled plasma single longitudinal mode highorder gratings

A 1.65μm three-section distributed Bragg reflector(DBR) laser for CH_4 gas sensors被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2013年第10期54-56,共3页牛斌于红艳余力强周代兵陆丹赵玲娟潘教青王圩; supported by the National High Technology Research and Development Program of China(Nos.2011AA010303,2012AA012203);the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2011CB301702);the National Natural Science Foundation of China(Nos.61021003,61090392); A 1.65μm three-section distributed Bragg reflector （DBR） laser for CH4 gas sensors is reported. The DBR laser has a wide tunable range covering the R3 and R4 methane absorption line manifolds. The wavelength tunabi...; 关键词：CH4 DBR DSH gas sensor lnP TDLAS

Monolithic white LED based on Al_xGa_(1-x) N/InyGa_(1-y)N DBR resonant-cavity: 《Journal of Semiconductors》2009年第1期30-33,共4页陈宇黄黎蓉朱珊珊; supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60777019); A monolithic white light-emitting diode （LED） with blue and yellow light active regions has been designed and studied. With the AlxGa1-xN/InyGa1-yN distributed Bragg reflector （DBR） resonant-cavity, the extraction...; 关键词：MONOLITHIC white light-emitting diode distributed Bragg reflector RESONANT-CAVITY

数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第11期2011-2014,共4页王小东吴旭明王青曹玉莲何国荣谭满清; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312180)~~; 通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1As DBR和渐变型DBR的...; 关键词：垂直腔面发射激光器 DBR 反射谱反射相移特征矩阵法

Effect of DBR Geometry on Reflectivity and Spectral Linewidth of DBR Lasers被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2315-2319,共5页方达伟张艺李晨霞 Manzaneda C 李波; 浙江省自然科学基金资助项目(批准号:602082)~~; The linewidths of InGaAs-GaAs-AlGaAs DBR lasers with varied DBR dimensional parameters are measured and analyzed. These lasers were built with different DBR grating lengths and depths in order to explore the effect of...; 关键词：LINEWIDTH distributed Bragg reflector InGaAs-GaAs-AlGaAs semiconductor lasers

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2001年第9期1222-1225,共4页刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达; 国家自然科学基金项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ;6 99370 10 )~~; 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga...; 关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率 DBR 砷化镓砷化铝

半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2001年第4期446-450,共5页晏长岭赵英杰钟景昌; 用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 nm.由实验表明 ,19个周期的反射镜获得了高达 99%以上的高反射...; 关键词：分布布拉格反射镜半导体超晶格分子束外延

分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2001年第3期335-339,共5页刘宝利王炳燊徐仲英; 国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :197740 45 )&&; 从光学传输矩阵方法出发 ,研究了分布布拉格反射器 (DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响 ;同时指出了 DBR对于λ0 / 2和λ0; 关键词：半导体平面微腔光学传输矩阵分布布拉格反射器激光器

量子阱DBR微腔激光器中自发发射的控制被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2000年第10期984-987,共4页赵红东张以谟张存善周革沈光地; 北京市自然科学基金!( No.4 972 0 0 6);河北省博士基金;河北省教育厅科研计划;河北工业大学科研计划资助项目&&; 应用腔量子电动力学和量子阱物理 ,计算了量子阱 DBR微腔激光器的自发发射谱 .发现由于 DBR微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制 ,单方向的自发发射可以增进约三个量级 ,总的自发发射增强一个量级 .; 关键词：量子阱微腔激光器自发发射 DBR 量子电动力学

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