FD-SOI

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FD-SOI的低功耗，究竟有什么用？
《中国集成电路》2019年第10期18-22,59,共6页黄烨锋 
前年的ISSCC 2017大会上,意法半导体做过一个题为“针对智能嵌入式系统、采用28nm FD-SOI工艺的2.9TOPS/W深度卷积神经网络SoC”(A 2.9 TOPS/W Deep Convolutional Neural Network SoC in FD-SOI 28nm for Intelligent Embedded Systems...
关键词：深度卷积神经网络 低功耗 ISSCC 嵌入式系统 意法半导体 SOI工艺 SoC 网络拓扑 
全球晶圆代工厂认证Synopsys公司的22nm FD-SOI工艺设计平台
《现代材料动态》2018年第2期14-14,共1页郑诗颖 
位于美国加利福尼亚州Ili景城的Synopsys公司宣布其全球晶圆代工厂已经认证了Synopsys的GF22nmFD-SOl（22FDX）工艺设计平台，采用业界领先的数字化设计工具，确保设计师们实现优化实施和可预见的验收结果。这一认证利用Synopsys设计平...
关键词：Synopsys公司 SOI工艺 设计平台 认证 工厂 晶圆 加利福尼亚州 设计工具 
格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺,拓展FDX路线图
《半导体信息》2016年第5期15-17,共3页
加利福尼亚州圣克拉拉市，2016年9月9日-格罗方德半导体发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD--SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，
关键词：半导体工艺 路线图 SOI工艺 FD 加利福尼亚州 平台 多节点 
格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺,拓展FDX路线图
《今日电子》2016年第10期29-29,共1页
格罗方德半导体日前发布了全新的12nmFD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD—SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等备类应用智能系...
关键词：半导体工艺 SOI工艺 路线图 无人驾驶汽车 移动计算 人工智能 智能系统 平台 
28nm FD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世
《中国集成电路》2016年第8期66-66,共1页
三星晶圆代工业务（Samsung Foundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magnetic RAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥炭性存储器（eNVM）选项。
关键词：嵌入式存储器 SOI工艺 快闪存储器 晶圆代工 SST 
守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期
《今日电子》2016年第4期24-24,共1页
FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的。由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽。此外,薄氧化埋层使得基...
关键词：SOI工艺 绝缘硅片 爆发 大规模集成 SOI结构 晶体管 沟道掺杂 摩尔定律 
格罗方德与芯原合作开发FD-SOI工艺
《集成电路应用》2015年第10期43-43,共1页
全球能提供Fin FET工艺的fab就是英特尔、TSMC、三星、Global Foundries（格罗方德半导体）这几家,而目前能提供相对稳定量产的就是英特尔,三星与TSMC还在纠结中。Fin FET是一个难度十分高的工艺,对稳定性要求非常高。而面对下一代的手...
关键词：SOI工艺 合作开发 芯片设计公司 TSMC FET 相对稳定 手机芯片 网络芯片 
Global Foundries全球首发22nm FD-SOI工艺
《中国集成电路》2015年第8期5-5,共1页
Global Foundries近日宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI，专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22nm时代起就纷纷转入了立体晶体...
关键词：SOI工艺 FINFET SOI技术 Intel 超低功耗 晶体管 平面型 台积电 
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